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云南鍺業(yè)：以大直徑
低位錯(cuò)密度
鍺、砷化鎵、磷化銦、碳化硅單晶材料制備及其應(yīng)用為重點(diǎn)研究方向
評(píng)論 ?
2022-03-18 13:54
中鎵半導(dǎo)體：
低位錯(cuò)密度
氮化鎵自支撐襯底產(chǎn)品已經(jīng)量產(chǎn)銷售
中鎵半導(dǎo)體
低位錯(cuò)密度
2英寸
氮化鎵
自支撐
襯底
評(píng)論 ?
2022-02-23 07:27
中鎵半導(dǎo)體劉強(qiáng)：2英寸
低位錯(cuò)密度
高電導(dǎo)率和半絕緣氮化鎵自支撐襯底的生長(zhǎng)
評(píng)論 ?
2021-12-23 16:20
【CASICON 2021】云南鍺業(yè)公司首席科學(xué)家惠峰：VCSEL用六英寸超
低位錯(cuò)密度
砷化鎵單晶片研制及應(yīng)用
評(píng)論 ?
2021-09-14 09:58
CASICON 2021前瞻：VCSEL用六英寸超
低位錯(cuò)密度
砷化鎵單晶片研制及應(yīng)用
評(píng)論 ?
2021-09-10 10:37
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