9月13-14日，“2021中國（南京）功率與射頻半導體技術市場應用峰會（CASICON 2021）”在南京召開。會議圍繞碳化硅、氮化鎵、砷化鎵、氧化鎵、金剛石等材料在電力電子、5G射頻領域的技術進展與創新應用，助推相關領域市場產品國產化替代。本屆峰會由半導體產業網、第三代半導體產業主辦，并得到了南京大學、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟的指導。
會上，云南鍺業公司首席科學家/中科院半導體所研究員惠峰帶來了題為“VCSEL用六英寸超低位錯密度砷化鎵單晶片研制及應用”的主題報告，報告針對6英寸垂直腔面發射激光器用砷化鎵單晶產業發展存在的關鍵技術難題，重點進行單晶爐設計制造及單晶生長熱場設計、單晶生長工藝和開盒即用砷化鎵晶片加工工藝等核心技術研究開發。建成年產10萬片6英寸垂直腔面發射激光器用砷化鎵單晶材料產業化生產線，實現國產化替代和核心技術自主可控。
嘉賓簡介
惠峰一直從事國防軍工器件和電路需要的高質量砷化鎵、磷化銦及鍺單晶研發工作。做為重大項目負責人，帶領課題組先后完成了國家重點科技攻關、國家八六三計劃重大項目，北京市重大科技項目、國家科技支撐計劃項目、云南省重大科技計劃等40多項科研和產業化任務，多次獲得中科院科技進步二、三等獎。在云南建成了國際先進的鍺單晶、砷化鎵單晶、磷化銦單晶等光電半導體新材料研發平臺和產業化基地，打破國外核心技術封鎖，實現高端半導體晶片國產化替代。
