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中鎵半導體:低位錯密度氮化鎵自支撐襯底產品已經量產銷售

日期:2022-02-23 閱讀:613
核心提示:中鎵半導體低位錯密度氮化鎵自支撐襯底產品已經量產銷售。
   2021年12月29日,中鎵半導體宣布,他們成功地將2英寸氮化鎵自支撐襯底產品的位錯密度降低到了4×105 cm-2 到 7×105 cm-2范圍,并且目前新產品已經開始量產銷售。
 
  中鎵半導體提供硅摻雜的2英寸高電導率氮化鎵自支撐襯底,可用于制備半導體藍綠光激光器和垂直型氮化鎵功率器件。此外,公司還提供碳摻雜的2英寸半絕緣氮化鎵自支撐襯底,可用于制備高性能微波射頻器件。
 
  圖1為使用陰極螢光掃描電子顯微鏡實拍的2英寸氮化鎵自支撐襯底產品的位錯密度mapping,產品所有區域的位錯密度均在4×105 cm-2to 7×105 cm-2范圍。
中鎵半導體:低位錯密度氮化鎵自支撐襯底產品已經量產銷售
  圖1 位錯密度mapping
  Source:中鎵半導體
 
  圖2為使用原子力顯微鏡測試的2英寸氮化鎵自支撐襯底的表面粗糙度mapping。每個未知的測試區域均為1μm×1μm大小,所有區域表面粗糙度(RA)均小于0.2nm。
 
中鎵半導體:低位錯密度氮化鎵自支撐襯底產品已經量產銷售
  圖2 表面粗糙度mapping
  Source:中鎵半導體
 
  使用高精度X射線衍射儀測試了產品的晶體質量,整面襯底的C晶向偏M晶向角度和C偏A鏡像角度分別在0.35±0.01°和0.00±0.01°范圍。(0002)晶面和(10-12)晶面搖擺曲線半峰寬均在30弧秒以內。
 
  表1 不同位置晶向偏角和晶體質量測試
 
中鎵半導體:低位錯密度氮化鎵自支撐襯底產品已經量產銷售
 
 
  Source:中鎵半導體
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