近日，第七屆國際第三代半導體論壇暨第十八屆中國國際半導體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會展中心舉行。
期間，“氮化物半導體襯底與外延技術“分論壇上，中鎵半導體科技有限公司顧問劉強做了題為“2英寸低位錯密度高電導率和半絕緣氮化鎵自支撐襯底的生長”的主題報告，結合用于PA應用的HEMT、用于LD的高導電GaN襯底、用于PND的高導電GaN 襯底的狀況，分享了應力和錯位控制、電導控制的研究進展。
所有使用HVPE的 FS-GaN制造技術的有兩個關鍵問題，一是如何控制生長過程中的應力以避免開裂，二是如何從異物襯底上剝離GaN層。報告詳細介紹了通過碳摻雜實現半絕緣 GaN 生長、碳摻雜 GaN 中的雜質濃度、碳摻雜氮化鎵的電學特性、半絕緣FS-GaN參數選擇、高導電FS-GaN生長等內容。
報告指出，具有較低位錯密度的FS-GaN襯底將有助于改進包括光電器件、垂直GaN功率器件和高頻器件在內的所有GaN-on-FS-GaN器件。GaN LD和垂直功率器件（如 GaN PND）首選高導電性 FS-GaN，同時 GaN-on-GaN HEMT需要具有高電阻率的半絕緣FS-GaN。
通過結合LT-GaN插入層和激光剝離技術，Sino-nitride具有大規模生產FS-GaN襯底的能力。通過優化LT-GaN層厚度和生長條件，FS-GaN產品無法達到更好的切割角均勻度（<0.2）、更低的位錯密度（>4×105 cm-2）和更好的表面狀態（RSM<0.1nm）。半絕緣 FS-GaN 襯底是用CH4 摻雜劑實現的，室溫電阻率超過 109 Ω·cm。通過應力工程實現載流子濃度高于3×1018 cm-3的高導電FS-GaN襯底。
（內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解）
