近日，荷蘭半導體設備制造商ASML宣布，其新一代高數值孔徑EUV光刻機EXE:5200已正式出貨，標志著該技術已準備好投入批量生產。
根據最新報道，美國與歐盟委員會主席簽署的貿易協定中，對進入美國的歐洲制造商品征收15%的關稅，但半導體制造設備等特定商品在零關稅安排下可享受豁免。這意味著ASML的設備在美國市場不會因關稅上漲而增加成本。報告指出，若對ASML設備征收15%的關稅，每臺DUV系統的成本將增加約1300萬美元，每臺EUV設備的成本將增加高達4000萬美元，這將大幅增加英特爾、三星和臺積電等企業的成本，削弱美國半導體制造業的競爭力。
ASML的首臺高數值孔徑EUV客戶已確認為英特爾，計劃用于其14A節點。相比之下，臺積電可能會推遲采用該技術，預計在其A14工藝節點上放棄使用該設備，而三星尚未設定采用時間表。ASML的EXE:5200系統專為大批量生產設計，生產率超過每小時200個晶圓，對于實現更高分辨率（<8 nm）至關重要。
ASML一直在加速EUV技術導入量產，擴大生產規模，預計到2025年-2026年，年產EUV光刻機將達到90臺，DUV光刻機600臺。2024年主力出貨的TWINSCAN NXE: 3800E套刻精度為1.1nm，曝光速度30mJ/cm²，每小時曝光195片晶圓，年產量為170萬片。預計2025年出貨的NXE:4000F將以更高速度提供更大產能。
