全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出了采用頂部散熱（TSC）Q-DPAK封裝的CoolSiC™ MOSFET 1200V G2。這款新型半導體器件能夠提供更加出色的熱性能、系統(tǒng)效率和功率密度，專為應對工業(yè)應用的高性能和高可靠性要求而設計，例如電動汽車充電機、光伏逆變器、不間斷電源、電機驅動和固態(tài)斷路器等。
采用Q-DPAK封裝的CoolSiC™ MOSFET 1200V G2
這款CoolSiC™ 1200V G2所采用的技術相較于上一代產(chǎn)品有顯著的提升，可在導通電阻（Rds(on)）相同的情況下，開關損耗降低達25%，系統(tǒng)效率提升0.1%。基于英飛凌先進的.XT擴散焊技術，G2系列產(chǎn)品的熱阻相較于G1系列降低15%以上，MOSFET溫度也降低了11%。憑借4mΩ至78mΩ的出色導通電阻和豐富的產(chǎn)品組合，設計人員能夠靈活使用，提高系統(tǒng)性能，滿足目標應用需求。此外，新技術支持在高達200°C結溫（Tvj）下的過載運行，并具備出色的抗寄生導通能力，確保在動態(tài)且嚴苛的工況下實現(xiàn)可靠運行。
英飛凌CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2提供單開關和雙半橋兩種Q-DPAK封裝。兩種型號均屬于英飛凌更廣泛的X-DPAK頂部散熱平臺。所有頂部散熱（TSC）版本（包括 Q-DPAK和TOLT）的封裝厚度統(tǒng)一為2.3mm，具備高度的設計靈活性，使客戶能夠在單一散熱器組件下靈活擴展和組合不同產(chǎn)品。這種設計靈活性簡化了先進功率系統(tǒng)的開發(fā)，便于客戶根據(jù)需求定制和擴展其解決方案。
Q-DPAK封裝通過實現(xiàn)器件頂部與散熱器之間的直接熱傳導，顯著提升散熱性能。與傳統(tǒng)底部散熱封裝相比，這種直接熱傳導路徑能夠顯著提高熱傳導效率，使系統(tǒng)設計更加緊湊。此外，Q-DPAK封裝的布局設計大幅減少了寄生電感，對提高開關速度至關重要，有助于提升系統(tǒng)效率，并降低電壓過沖風險。該封裝由于占用空間小，適用于緊湊的系統(tǒng)設計，其與自動化裝配流程的兼容性簡化了制造過程，確保了成本效益和可擴展性。 (來源：英飛凌工業(yè)半導體)
