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CSPSD 2025前瞻|西安理工大學(xué)賀小敏:氧化鎵異質(zhì)外延生長(zhǎng)及材料特性研究

日期:2025-05-21 閱讀:338
核心提示:5月22-24日, “2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議(CSPSD 2025)”將于南京舉辦。西安理工大學(xué)副教授賀小敏將受邀出席會(huì)議,并帶來(lái)《氧化鎵異質(zhì)外延生長(zhǎng)及材料特性研究》的主題報(bào)告,將分享最新研究進(jìn)展與成果,敬請(qǐng)關(guān)注!

頭圖

氧化鎵(β-Ga2O3)作為繼SiC和GaN之后的新一代超寬禁帶半導(dǎo)體材料,近年來(lái)得到了廣泛的關(guān)注。β-Ga2O3在材料方面優(yōu)越的特性使其在電力電子器件等諸多領(lǐng)域有著重要的應(yīng)用價(jià)值。但在功率器件應(yīng)用中β-Ga2O3材料仍然存在著p型β-Ga2O3材料的研究沒(méi)有獲得有效的進(jìn)展,且理論預(yù)測(cè)其p型摻雜難以實(shí)現(xiàn),以及熱導(dǎo)率較低等問(wèn)題需要解決。

 5月22-24日, “2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議(CSPSD 2025)”將于南京舉辦。本次論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)指導(dǎo),南京郵電大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)(m.ynpmqx.com)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)共同主辦。南京郵電大學(xué)集成電路科學(xué)與工程學(xué)院(產(chǎn)教融合學(xué)院)、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司承辦。電子科技大學(xué)、南京郵電大學(xué)南通研究院、蘇州鎵和半導(dǎo)體有限公司、揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司等單位協(xié)辦。

會(huì)議設(shè)有開幕大會(huì)&主旨報(bào)告,以及硅及寬禁帶半導(dǎo)體材料、器件及集成應(yīng)用,超寬禁帶材料、器件及集成應(yīng)用,功率集成交叉與應(yīng)用,先進(jìn)封裝與異構(gòu)集成等4個(gè)平行論壇,將覆蓋晶圓造、芯片設(shè)計(jì)、芯片加工、模塊封裝、測(cè)試分析、軟件工具、設(shè)備制造、整機(jī)應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)。 

屆時(shí),西安理工大學(xué)副教授賀小敏將受邀出席會(huì)議,并帶來(lái)《氧化鎵異質(zhì)外延生長(zhǎng)及材料特性研究》的主題報(bào)告,將分享最新研究進(jìn)展與成果,敬請(qǐng)關(guān)注! 

0521-賀小敏 

嘉賓簡(jiǎn)介

賀小敏,工學(xué)博士,在寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研究領(lǐng)域深耕多年,主要從事碳化硅(SiC)和氧化鎵(Ga?O?)的外延生長(zhǎng)技術(shù)、異質(zhì)結(jié)界面特性調(diào)控及其功率、高頻器件的研究工作。累計(jì)以第一作者在核心期刊發(fā)表論文15篇,其中SCI收錄11篇。主持/參與縱向科研項(xiàng)目9項(xiàng),其中:國(guó)家級(jí)3項(xiàng)、省部級(jí)3項(xiàng)、廳局級(jí)及重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室項(xiàng)目3項(xiàng)。主持/參與橫向課題9項(xiàng),總經(jīng)費(fèi)223萬(wàn)元,含主持百萬(wàn)級(jí)項(xiàng)目1項(xiàng)。申請(qǐng)相關(guān)國(guó)家發(fā)明專利6項(xiàng),獲授權(quán)國(guó)家發(fā)明專利4項(xiàng),實(shí)現(xiàn)技術(shù)成果轉(zhuǎn)化26萬(wàn)元。榮獲2018年度陜西省教育廳科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)。

 

會(huì)議時(shí)間:5月22-24日(5月22日下午報(bào)到,23-24日會(huì)議日)

會(huì)議酒店:中國(guó)·南京·熹禾涵田酒店(南京市浦口區(qū)象賢路158號(hào))

組織機(jī)構(gòu)

指導(dǎo)單位:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)

主辦單位:南京郵電大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)(m.ynpmqx.com)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

承辦單位:南京郵電大學(xué)集成電路科學(xué)與工程學(xué)院(產(chǎn)教融合學(xué)院)、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司

協(xié)辦支持:電子科技大學(xué)、南京郵電大學(xué)南通研究院、蘇州鎵和半導(dǎo)體有限公司、揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司

大會(huì)主席:郭宇鋒

聯(lián)合主席:柏松 張波 趙璐冰

程序委員會(huì):盛況 陳敬 張進(jìn)成 陸海 唐為華 羅小蓉 張清純 龍世兵 王來(lái)利 程新紅 楊媛 楊樹 張宇昊 劉斯揚(yáng) 章文通 陳敦軍 耿博 郭清 蔡志匡 劉雯 鄧小川 魏進(jìn) 周琦 周弘 葉懷宇 許晟瑞 張龍 包琦龍 金銳 姚佳飛 蔣其夢(mèng) 明鑫 周春華 等

組織委員會(huì)

主 任:姚佳飛

副主任:涂長(zhǎng)峰

成 員:張茂林 周峰 徐光偉 劉盼 王珩宇 楊可萌 張珺 王曦 羅鵬 劉成 劉宇 馬慧芳 陳靜 李曼 賈欣龍等

主題方向

1. 硅基功率器件與集成技術(shù)

硅基、SOI基功率器件、可集成功率器件、器件仿真與設(shè)計(jì)技術(shù)、器件測(cè)試表征技術(shù)、器件可靠性、器件制造技術(shù)、功率集成IC技術(shù)

2.碳化硅功率器件與集成技術(shù)

碳化硅功率器件、器件設(shè)計(jì)與仿真技術(shù)、器件制造技術(shù)、器件測(cè)試與可靠性、可集成器件與功率集成技術(shù)

3.氮化鎵、III/V族化合物半導(dǎo)體功率器件與功率集成

氮化鎵功率器件、III/V族化合物(AlN、GaAs)半導(dǎo)體功率器件、器件設(shè)計(jì)與仿真技術(shù)、器件制造技術(shù)、器件測(cè)試與可靠性、可集成器件與功率集成技術(shù)

4.氧化鎵/金剛石功率器件與集成技術(shù)

氧化鎵/金剛石功率器件、器件設(shè)計(jì)與仿真技術(shù)、器件制造技術(shù)、器件測(cè)試與可靠性、可集成器件與功率集成技術(shù)

5.模組封裝與應(yīng)用技術(shù)

功率器件、模組與封裝技術(shù)、先進(jìn)封裝技術(shù)與封裝可靠性

6.面向功率器件及集成電路的核心材料、裝備及制造技術(shù)

核心外延材料、晶圓芯片及封裝材料;退火、刻蝕、離子注入等功率集成工藝平臺(tái)與制造技術(shù);制造、封裝、檢測(cè)及測(cè)試設(shè)備等

7.功率器件交叉領(lǐng)域

基于新材料(柔性材料、有機(jī)材料、薄膜材料、二維材料)的功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)、制造與集成技術(shù);人工智能驅(qū)動(dòng)的功率器件仿真,建模與設(shè)計(jì)、封裝與測(cè)試

會(huì)議日程

詳細(xì)議程

備注:上述日程或有微調(diào),最終以現(xiàn)場(chǎng)為準(zhǔn)。

參會(huì)及擬邀單位

中電科五十五所、電子科技大學(xué)、英飛凌、華虹半導(dǎo)體、揚(yáng)杰科技、士蘭微、捷捷微電、英諾賽科、中科院上海微系統(tǒng)所、氮矽科技、中科院微電子所、中科院半導(dǎo)體所、三安半導(dǎo)體、芯聯(lián)集成、斯達(dá)半導(dǎo)體、中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)、浙江大學(xué)、東南大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、西安電子科技大學(xué)、清華大學(xué)、北京大學(xué)、廈門大學(xué)、南京大學(xué)、香港大學(xué)、天津大學(xué)、長(zhǎng)飛半導(dǎo)體、華為、溫州大學(xué)、明義微電子、海思半導(dǎo)體、瞻芯電子、基本半導(dǎo)體、華大九天、博世、中鎵半導(dǎo)體、江蘇宏微、蘇州晶湛、百識(shí)電子、超芯星、南瑞半導(dǎo)體、國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾、西交利物浦大學(xué)、西安理工大學(xué)、北京智慧能源研究院、高芯(河南)半導(dǎo)體、中科院納米所、九峰山實(shí)驗(yàn)室、平湖實(shí)驗(yàn)室、北京工業(yè)大學(xué)、深圳大學(xué)、南方科技大學(xué)、華南師范大學(xué)、立川、國(guó)電投核力創(chuàng)芯、華中科技大學(xué)……等等

動(dòng)參與:   

注冊(cè)費(fèi)2800元,5月15日前注冊(cè)報(bào)名2500元(含會(huì)議資料袋,23日午餐、歡迎晚宴、24日自助午餐及晚餐)

繳費(fèi)方式

①銀行匯款

開戶行:中國(guó)銀行北京科技會(huì)展中心支行

賬 號(hào):336 356 029 261

名 稱:北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司

②移動(dòng)支付

移動(dòng)支付

備注:通過(guò)銀行匯款/移動(dòng)支付,請(qǐng)務(wù)必備注:?jiǎn)挝缓?jiǎn)稱+姓名+南京,以便后續(xù)查詢及開具發(fā)票。若需開具發(fā)票請(qǐng)將報(bào)名信息、轉(zhuǎn)賬憑證及開票信息發(fā)送至郵箱:lilyli@china-led.net。

掃碼預(yù)報(bào)名

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備注:此碼為預(yù)報(bào)名通道,完成信息提交后,需要對(duì)公匯款或者掃碼支付注冊(cè)費(fèi)。

論文投稿及報(bào)告咨詢:

賈老師  18310277858  jiaxl@casmita.com

姚老師  15951945951  jfyao@njupt.edu.cn

張老師  17798562651  mlzhang@njupt.edu.cn 

李老師  18601994986  linan@casmita.com

贊助、展示及參會(huì)聯(lián)系:

賈先生  18310277858   jiaxl@casmita.com

張女士  13681329411  zhangww@casmita.com

投稿模板下載:投稿模板_CSPSD2025.docx    文章?lián)駜?yōu)推薦到EI期刊《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)(英文)》。 

會(huì)議酒店

南京熹禾涵田酒店

協(xié)議價(jià)格:標(biāo)間&大床房,400元/晚,含早餐

地址:南京市浦口區(qū)象賢路158號(hào)

郵箱:503766958@qq.com

酒店聯(lián)系人

陸經(jīng)理 15050562332  025-58628888 

南京站到會(huì)議酒店:

開車車程40分鐘

公共交通:

地鐵1號(hào)線-新街口-轉(zhuǎn)2地鐵2號(hào)線-元通站-轉(zhuǎn)10號(hào)線-雨山路站-打車起步價(jià)

南京南站到會(huì)議酒店:

開車車程25分鐘

公共交通:

S3號(hào)線-永初路-轉(zhuǎn)公交509路-濱江桂園北門-打車起步價(jià)

祿口機(jī)場(chǎng)到會(huì)議酒店:

開車車程1小時(shí)

公共交通:

機(jī)場(chǎng)-S1號(hào)線南京南站-永初路地鐵站-509路公交-濱江桂園北門

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