5月22-24日， “2025功率半導體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。本次論壇由第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導，南京郵電大學、極智半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（m.ynpmqx.com）、第三代半導體產(chǎn)業(yè)共同主辦。南京郵電大學集成電路科學與工程學院（產(chǎn)教融合學院）、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司承辦。電子科技大學、南京郵電大學南通研究院、蘇州鎵和半導體有限公司、揚州揚杰電子科技股份有限公司等單位協(xié)辦。 

ULVAC愛發(fā)科集團將亮相此次會議。屆時，愛發(fā)科（蘇州）技術(shù)研究開發(fā)有限公司研究員王鶴鳴將受邀出席論壇，并分享《面向功率器件制造的先進離子注入解決方案的集成工藝與創(chuàng)新》的主題報告！值此，誠摯邀請第三代半導體產(chǎn)業(yè)同仁共聚盛會，蒞臨展位參觀交流、洽談合作。  

嘉賓簡介 

王鶴鳴，現(xiàn)任世界知名真空設(shè)備企業(yè)ULVAC集團在華全資研發(fā)子公司——愛發(fā)科（蘇州）技術(shù)研究開發(fā)有限公司研究員。擁有日本新潟大學自然科學研究科微機電系統(tǒng)工程碩士學位，師從日本MEMS領(lǐng)域知名專家安部隆教授，留學期間主攻微型傳感器與精密加工技術(shù)。目前作為愛發(fā)科中國區(qū)離子注入工藝研發(fā)團隊核心成員，深耕半導體制造關(guān)鍵環(huán)節(jié)——離子注入技術(shù)研發(fā)多年，憑借對半導體物理與設(shè)備工藝的深刻理解，成功構(gòu)建覆蓋設(shè)備調(diào)試、工藝開發(fā)到量產(chǎn)導入的全流程技術(shù)體系，累計攻克多項關(guān)鍵技術(shù)瓶頸，當前主要致力于第三代半導體核心設(shè)備攻堅：作為研發(fā)負責人牽頭面向12吋IGBT背面離子注入裝備工藝開發(fā)\碳化硅高溫溝道注入工藝開發(fā)項目，突破高能離子束流穩(wěn)定性控制技術(shù)，成功實現(xiàn)300mm晶圓摻雜均勻性≤0.5%的達到行業(yè)標桿水平，未來將持續(xù)聚焦寬禁帶半導體與先進封裝領(lǐng)域，重點攻關(guān)面向車規(guī)級芯片的離子注入系統(tǒng)開發(fā)，為新能源汽車、光伏儲能等戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)提供核心工藝解決方案。 

公司簡介

愛發(fā)科集團作為真空技術(shù)解決方案提供商,以真空技術(shù)為核心，從事面向顯示半導體(TFT-LCD、OLED、MiniLED、Micro-LED、Micro-OLED)、功率半導體(SiC、GaN、IGBT)、鋰電池(復合集流體CCC/ACC、Pre-Li)、集成電路(Logic、Memory)、MEMS(PZT壓電器件、VOx非制冷紅外)、通信光學(SAW/BAW、PA、Optical Filter)等領(lǐng)域的真空設(shè)備及靶材的銷售,并提供設(shè)備安裝調(diào)試、定期保養(yǎng)、維護維修、零部件銷售、設(shè)備改造、零部件清洗等集團公司產(chǎn)品及服務(wù)。

時間地點

5月22日-24日

（5月22日下午報到，23-24日會議日）

南京熹禾涵田酒店（南京市浦口區(qū)象賢路158號） 

組織機構(gòu)

指導單位：

第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）

主辦單位：南京郵電大學極智半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（m.ynpmqx.com）第三代半導體產(chǎn)業(yè)

承辦單位：南京郵電大學集成電路科學與工程學院（產(chǎn)教融合學院）北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司

協(xié)辦支持：電子科技大學南京郵電大學南通研究院蘇州鎵和半導體有限公司揚州揚杰電子科技股份有限公司

大會主席：郭宇鋒 聯(lián)合主席：柏松 張波 趙璐冰程序委員會：盛況 陳敬 張進成 陸海 唐為華 羅小蓉 張清純 龍世兵 王來利 程新紅 楊媛 楊樹 張宇昊 劉斯揚 章文通 陳敦軍 耿博 郭清 蔡志匡 劉雯  鄧小川 魏進 周琦 周弘 葉懷宇 許晟瑞 張龍 包琦龍 金銳 姚佳飛 蔣其夢 明鑫 周春華 等

組織委員會

主 任：姚佳飛  

副主任：涂長峰

成 員: 張茂林 周峰 徐光偉 劉盼 王珩宇 楊可萌 張珺 王曦 羅鵬 劉成 劉宇 馬慧芳 陳靜 李曼 賈欣龍等 

主題方向

1. 硅基功率器件與集成技術(shù)

硅基、SOI基功率器件、可集成功率器件、器件仿真與設(shè)計技術(shù)、器件測試表征技術(shù)、器件可靠性、器件制造技術(shù)、功率集成IC技術(shù)

2.碳化硅功率器件與集成技術(shù)

碳化硅功率器件、器件設(shè)計與仿真技術(shù)、器件制造技術(shù)、器件測試與可靠性、可集成器件與功率集成技術(shù)

3.氮化鎵、III/V族化合物半導體功率器件與功率集成

氮化鎵功率器件、III/V族化合物（AlN、GaAs）半導體功率器件、器件設(shè)計與仿真技術(shù)、器件制造技術(shù)、器件測試與可靠性、可集成器件與功率集成技術(shù)

4.氧化鎵/金剛石功率器件與集成技術(shù)

氧化鎵/金剛石功率器件、器件設(shè)計與仿真技術(shù)、器件制造技術(shù)、器件測試與可靠性、可集成器件與功率集成技術(shù)

5.模組封裝與應用技術(shù)

功率器件、模組與封裝技術(shù)、先進封裝技術(shù)與封裝可靠性

6.面向功率器件及集成電路的核心材料、裝備及制造技術(shù)

核心外延材料、晶圓芯片及封裝材料；退火、刻蝕、離子注入等功率集成工藝平臺與制造技術(shù)；制造、封裝、檢測及測試設(shè)備等

7.功率器件交叉領(lǐng)域

基于新材料（柔性材料、有機材料、薄膜材料、二維材料）的功率半導體器件設(shè)計、制造與集成技術(shù)；人工智能驅(qū)動的功率器件仿真，建模與設(shè)計、封裝與測試 

會議日程

備注：上述日程或有更新僅供參考，最終以現(xiàn)場實際為準！

會議參與擬邀單位

中電科五十五所、電子科技大學、英飛凌、華虹半導體、揚杰科技、士蘭微、捷捷微電、英諾賽科、中科院上海微系統(tǒng)所、氮矽科技、中科院微電子所、中科院半導體所、三安半導體、芯聯(lián)集成、斯達半導體、中國科學技術(shù)大學、浙江大學、東南大學、復旦大學、西安電子科技大學、清華大學、北京大學、廈門大學、南京大學、香港大學、天津大學、長飛半導體、華為、溫州大學、明義微電子、海思半導體、瞻芯電子、基本半導體、華大九天、博世、中鎵半導體、江蘇宏微、蘇州晶湛、百識電子、超芯星、南瑞半導體、國聯(lián)萬眾、西交利物浦大學、西安理工大學、北京智慧能源研究院、高芯（河南）半導體、中科院納米所、九峰山實驗室、平湖實驗室、北京工業(yè)大學、深圳大學、南方科技大學、華南師范大學、立川、國電投核力創(chuàng)芯、華中科技大學……等等 

會議參與

活動注冊：   

注冊費2800元，5月15日前注冊報名2500元（含會議資料袋，23日午餐、歡迎晚宴、24日自助午餐及晚餐）

繳費方式：

①銀行匯款

開戶行：中國銀行北京科技會展中心支行

賬 號：336 356 029 261

名 稱：北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司

②移動支付

備注：通過銀行匯款/移動支付，請務(wù)必備注：單位簡稱+姓名+南京，以便后續(xù)查詢及開具發(fā)票。若需開具發(fā)票請將報名信息、轉(zhuǎn)賬憑證及開票信息發(fā)送至郵箱:lilyli@china-led.net。 

掃碼預報名：

備注：此碼為預報名通道，完成信息提交后，

需要對公匯款或者掃碼支付注冊費。

論文投稿及報告咨詢：

賈老師  18310277858  jiaxl@casmita.com

姚老師  15951945951  jfyao@njupt.edu.cn

張老師  17798562651  mlzhang@njupt.edu.cn 

李老師  18601994986  linan@casmita.com

贊助、展示及參會聯(lián)系：

賈先生  18310277858   jiaxl@casmita.com張

女士  13681329411  zhangww@casmita.com

投稿模板下載：投稿模板_CSPSD2025.docx投稿文章?lián)駜?yōu)推薦到EI期刊《半導體學報（英文）》。 

會議酒店：

南京熹禾涵田酒店

協(xié)議價格：標間&大床房，400元/晚，含早餐

地址：南京市浦口區(qū)象賢路158號

聯(lián)系人：陸經(jīng)理 

電話：15050562332、025-58628888

郵箱：503766958@qq.com