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荷蘭代爾夫特理工大學教授Braham FERREIRA：寬禁帶功率半導體國際技術路線圖

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臺灣科技大學Hung-Wei CHEN：照明光對人體晝夜節律影響之研究

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意大利ORCHESTRA總裁Guido COLOMBO：工業4.0：對于電子工業和產品的大好時機

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英諾賽科科技有限公司董事長駱薇薇：硅基氮化鎵產業化發展的機遇與挑戰

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中國工程院院士陳良惠：固態照明的歷史使命與紫外LED的新機遇

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德國愛思強股份有限公司Vincent MERIC：化合物半導體外延量產解決方案

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2024年度中國第三代半導體技術十大進展

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長治市第三代半導體紫外LED產業發展規劃

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英國紐卡斯爾大學視覺神經科學教授Anya HURLBERT：不同光譜對人類健康的影響

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【視頻報告】鄭州大學Mussaab I. NIASS：藍寶石基B0.375GaN/B0.45GaN量子阱結構的激光二極管中n-p電極對于p型電導率的影響

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日本京都大學教授Naoki SHINOHARA：太陽能衛星及相關波束無線電力傳輸技術的最新研發進展
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日本京都大學教授Naoki SHINOHARA：太陽能衛星及相關波束無線電力傳輸技術的最新研發進展
太陽能衛星及相關波束無線電力傳輸技術的最新研發進展Recent RD of Solar Power Satellite and Related Beam Wireless Power Transfer TechnologyNaoki SHINOHARA日本京都大學教授NaokiSHINOHARAProfessor of Kyoto University,Japan
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guansheng2023-05-22 15:27
西安電子科技大學王鵬飛；雙閾值耦合AlGaN/GaN HEMT中用于優化Ka波段高電場線性度的多指漏極板研究
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西安電子科技大學王鵬飛；雙閾值耦合AlGaN/GaN HEMT中用于優化Ka波段高電場線性度的多指漏極板研究
雙閾值耦合AlGaN/GaN HEMT中用于優化Ka波段高電場線性度的多指漏極板研究Investigation of multi-fingers drain field plate in dual-threshold coupling AlGaN/GaN HEMTs for optimizing linearity at high electrical field in Ka-bands王鵬飛西安電子科技大學Wang PengfeiXidian University
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guansheng2023-05-22 15:22
昂瑞微電子副總經理黃鑫：國產突破，中國射頻前端產業引領5G 芯時代
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昂瑞微電子副總經理黃鑫：國產突破，中國射頻前端產業引領5G 芯時代
國產突破，中國射頻前端產業引領5G 芯時代Domestic breakthrough, China's RF front-end industry leads the 5G Chip era黃鑫北京昂瑞微電子技術股份有限公司副總經理HUANG XinVice General Manager of Beijing OnMicro Electronics Co., Ltd.
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guansheng2023-05-22 15:21
山東大學新一代半導體材料研究院研究員崔鵬：電流/功率截止頻率為135/310 GHz的高性能硅基InAlN/GaN HEMTs
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山東大學新一代半導體材料研究院研究員崔鵬：電流/功率截止頻率為135/310 GHz的高性能硅基InAlN/GaN HEMTs
電流/功率截止頻率為135/310 GHz的高性能硅基InAlN/GaN HEMTsHigh-Performance InAlN/GaN HEMTs on Silicon Substrate with fT/fmax of 135/310 GHz 崔鵬山東大學新一代半導體材料研究院研究員CUIPengResearch Fellow of the Institute of Novel Semiconductor of Shandong University
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guansheng2023-05-22 15:20
中國電科十三所正高級工程師杜鵬搏：47GHz-52GHz功率放大器芯片套片設計
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中國電科十三所正高級工程師杜鵬搏：47GHz-52GHz功率放大器芯片套片設計
47GHz-52GHz功率放大器芯片套片設計Design of 47GHz-52GHz Power Amplifier Chipset 杜鵬搏中國電科十三所正高級工程師、河北新華北集成電路有限公司副總經理DUPengboSenior Engineer of Hebei Semiconductor Institute, Deputy General Manager of Hebei New North China Integrated Circuit Co., Ltd
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guansheng2023-05-22 15:19
南京理工大學副教授黃同德：28GHz氮化鎵基時間調制波束成形系統
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南京理工大學副教授黃同德：28GHz氮化鎵基時間調制波束成形系統
28GHz氮化鎵基時間調制波束成形系統28GHz GaN based time modulated beamforming system黃同德南京理工大學副教授HUANG TongdeAssociate Professor of Nanjing University of Science and Technology
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guansheng2023-05-22 15:18
能訊高能半導體副總裁裴軼：氮化鎵推動5G、射頻能源及其他領域的創新
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能訊高能半導體副總裁裴軼：氮化鎵推動5G、射頻能源及其他領域的創新
氮化鎵推動5G、射頻能源及其他領域的創新GaN Driving innovation in 5G, RF Energy and beyond裴軼蘇州能訊高能半導體有限公司副總裁PEI YiVice President of Dynax Semiconductor, Inc
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guansheng2023-05-22 15:17
復旦大學教授黃偉：寬帶GaN毫米波新器件研究
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復旦大學教授黃偉：寬帶GaN毫米波新器件研究
寬帶GaN毫米波新器件研究Research on Broadband GaN Millimeter Wave Devices黃偉復旦大學教授HUANG WeiProfessor of Fudan University
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guansheng2023-05-22 15:16
國博電子副總經理錢峰：5G移動通信用化合物器件研究
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國博電子副總經理錢峰：5G移動通信用化合物器件研究
5G移動通信用化合物器件研究Research on Compound Semiconductor Devices for 5G Mobile Communication錢峰南京國博電子股份有限公司副總經理QIAN FengDeputy General Manager of Nanjing Guobo Electronics Co., Ltd
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guansheng2023-05-22 15:15
澳大利亞麥考瑞大學教授Sourabh KHANDELWAL：Scalable nonlinear RF modeling of GaN HEMTs with industry standard ASM
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澳大利亞麥考瑞大學教授Sourabh KHANDELWAL：Scalable nonlinear RF modeling of GaN HEMTs with industry standard ASM
Scalable nonlinear RF modeling of GaN HEMTs with industry standard ASM-HEMT compact modelSourabh KHANDELWAL澳大利亞麥考瑞大學教授Sourabh KHANDELWALProfessor of Macquarie University, Australia
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guansheng2023-05-22 15:14
西交利物浦大學朱昱豪：35-5V單片集成GaN基DC-DC浮動降壓轉換器
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西交利物浦大學朱昱豪：35-5V單片集成GaN基DC-DC浮動降壓轉換器
35-5V單片集成GaN基DC-DC浮動降壓轉換器A 35-5 V Monolithic integrated GaN-based DC-DC Floating Buck Converter朱昱豪西交利物浦大學ZHU YuhaoXi'an Jiaotong-Liverpool University
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guansheng2023-05-22 15:14
中科院寧波材料所戴貽鈞：無等離子體損傷GaN HEMT極化隔離的設計與優化
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中科院寧波材料所戴貽鈞：無等離子體損傷GaN HEMT極化隔離的設計與優化
無等離子體損傷GaN HEMT極化隔離的設計與優化Design and optimization of polarization isolation toward plasma-damage-free GaN HEMT戴貽鈞中國科學院寧波材料技術與工程研究所DAI YiyunNingbo Institute of Materials Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences
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guansheng2023-05-22 15:13
中科院蘇州納米所助理研究員鐘耀宗：功率HEMT的p-GaN柵極可靠性及其加固方法
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中科院蘇州納米所助理研究員鐘耀宗：功率HEMT的p-GaN柵極可靠性及其加固方法
功率HEMT的p-GaN柵極可靠性及其加固方法GaN Gate Reliability and Its Reinforcement Techniques in Power HEMTs鐘耀宗中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所助理研究員ZHONG YaozongAssistant Professor of Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences
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guansheng2023-05-22 15:12
中國科學院北京納米能源與系統研究所研究員胡衛國：AlGaN/GaN HEMT能帶工程和界面調制
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中國科學院北京納米能源與系統研究所研究員胡衛國：AlGaN/GaN HEMT能帶工程和界面調制
AlGaN/GaN HEMT能帶工程和界面調制AlGaN/GaN HEMT energy band engineering and interface modulation胡衛國中國科學院北京納米能源與系統研究所研究員HU WeiguoProfessor of Beijing Institute of Nanoenergy and Systems, Chinese Academy of Sciences
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guansheng2023-05-22 15:02
電子科技大學博士陳匡黎： p-GaN Gate HEMT器件閾值穩定性及其機理
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電子科技大學博士陳匡黎： p-GaN Gate HEMT器件閾值穩定性及其機理
p-GaN Gate HEMT器件閾值穩定性及其機理Study of the Physics of Vth Instability of p-GaN Gate HEMT陳匡黎電子科技大學博士ZHOU QiProfessor of University of Electronic Science and Technology of China
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guansheng2023-05-22 15:02
美國弗吉尼亞理工大學助理教授張宇昊：中高壓（1-10 kV）氮化鎵功率器件新進展
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美國弗吉尼亞理工大學助理教授張宇昊：中高壓（1-10 kV）氮化鎵功率器件新進展
中高壓（1-10 kV）氮化鎵功率器件新進展New Progress in Medium and High Voltage (1-10 kV) GaN Power Devices張宇昊美國弗吉尼亞理工大學助理教授ZHANG Yuhao Assistant Professor, Virginia Tech University
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guansheng2023-05-22 15:01
潤新微電子副總經理王榮華：后快充時代的氮化鎵功率器件產業化
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潤新微電子副總經理王榮華：后快充時代的氮化鎵功率器件產業化
后快充時代的氮化鎵功率器件產業化GaN Power Devices Beyond Adapter Applications王榮華潤新微電子（大連）有限公司副總經理WANG RonghuaVice General Manager of Runxin Microelectronics
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guansheng2023-05-22 15:00
加拿大滑鐵盧大學副教授Lan WEI：Recent?Progress?of?the?MIT?Virtual-Source?GaN?HEMT?(MVSG)?Compact?Model
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加拿大滑鐵盧大學副教授Lan WEI：Recent?Progress?of?the?MIT?Virtual-Source?GaN?HEMT?(MVSG)?Compact?Model
RecentProgressoftheMITVirtual-SourceGaNHEMT(MVSG)CompactModelLan WEI加拿大滑鐵盧大學副教授Lan WEIAssociate Professor of University of Waterloo, Canada
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guansheng2023-05-22 14:59
南方科技大學深港微電子學院院長、教授于洪宇：Si基GaN器件及系統研究與產業前景
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南方科技大學深港微電子學院院長、教授于洪宇：Si基GaN器件及系統研究與產業前景
Si基GaN器件及系統研究與產業前景Research of GaN-on-Si devices and the related systems于洪宇南方科技大學深港微電子學院院長、教授YU HongyuDeanProfessor of School of Microelectronics at Southern University of Science and Technology
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guansheng2023-05-22 14:57
南京郵電大學博士劉建華：氮化鎵功率器件耐壓理論與電場均勻化技術研究
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南京郵電大學博士劉建華：氮化鎵功率器件耐壓理論與電場均勻化技術研究
氮化鎵功率器件耐壓理論與電場均勻化技術研究Research on the breakdown theory and electric field homogenization technology of GaN-based Power Devices劉建華南京郵電大學博士
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guansheng2023-05-22 14:56

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