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荷蘭代爾夫特理工大學(xué)教授Braham FERREIRA：寬禁帶功率半導(dǎo)體國際技術(shù)路線圖

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臺(tái)灣科技大學(xué)Hung-Wei CHEN：照明光對(duì)人體晝夜節(jié)律影響之研究

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意大利ORCHESTRA總裁Guido COLOMBO：工業(yè)4.0：對(duì)于電子工業(yè)和產(chǎn)品的大好時(shí)機(jī)

意大利ORCHESTRA總裁Guido COLOMBO：工業(yè)4.0：對(duì)于電子工業(yè)和產(chǎn)品的大好時(shí)機(jī)

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英諾賽科科技有限公司董事長駱薇薇：硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的機(jī)遇與挑戰(zhàn)

英諾賽科科技有限公司董事長駱薇薇：硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的機(jī)遇與挑戰(zhàn)

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中國工程院院士陳良惠：固態(tài)照明的歷史使命與紫外LED的新機(jī)遇

中國工程院院士陳良惠：固態(tài)照明的歷史使命與紫外LED的新機(jī)遇

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德國愛思強(qiáng)股份有限公司Vincent MERIC：化合物半導(dǎo)體外延量產(chǎn)解決方案

德國愛思強(qiáng)股份有限公司Vincent MERIC：化合物半導(dǎo)體外延量產(chǎn)解決方案

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2024年度中國第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進(jìn)展

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長治市第三代半導(dǎo)體紫外LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃

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英國紐卡斯?fàn)柎髮W(xué)視覺神經(jīng)科學(xué)教授Anya HURLBERT：不同光譜對(duì)人類健康的影響

英國紐卡斯?fàn)柎髮W(xué)視覺神經(jīng)科學(xué)教授Anya HURLBERT：不同光譜對(duì)人類健康的影響

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【視頻報(bào)告】鄭州大學(xué)Mussaab I. NIASS：藍(lán)寶石基B0.375GaN/B0.45GaN量子阱結(jié)構(gòu)的激光二極管中n-p電極對(duì)于p型電導(dǎo)率的影響

【視頻報(bào)告】鄭州大學(xué)Mussaab I. NIASS：藍(lán)寶石基B0.375GaN/B0.45GaN量子阱結(jié)構(gòu)的激光二極管中n-p電極對(duì)于p型電導(dǎo)率的影響

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浙江大學(xué)特聘研究員任娜：1200V SiC MOSFET抗輻射可靠性研究
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浙江大學(xué)特聘研究員任娜：1200V SiC MOSFET抗輻射可靠性研究
1200V SiC MOSFET抗輻射可靠性研究Investigation of 1200V SiC MOSFET Radiation Ruggedness任娜浙江大學(xué)特聘研究員REN NaProfessor of Zhejiang University
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guansheng2023-05-22 13:48
中電48所鞏小亮： SiC功率器件制造裝備技術(shù)及發(fā)展趨勢
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中電48所鞏小亮： SiC功率器件制造裝備技術(shù)及發(fā)展趨勢
SiC功率器件制造裝備技術(shù)及發(fā)展趨勢Technology and development trends of SiC power devices manufacturing equipment鞏小亮中國電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所、半導(dǎo)體裝備研究部主任Xiaoliang GONGDirector of Semiconductor equipment research department, The 48th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation
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guansheng2023-05-22 13:47
楊霏：6500V SiC MOSFET器件研制及電力電子變壓器工程應(yīng)用
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楊霏：6500V SiC MOSFET器件研制及電力電子變壓器工程應(yīng)用
6500V SiC MOSFET器件研制及電力電子變壓器工程應(yīng)用Development of 6500V SiC MOSFET Devices and Engineering Application of Solid State Transformers楊霏北京智慧能源研究院功率半導(dǎo)體所副總師
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guansheng2023-05-22 13:46
Tibor GRASSER教授：Physical Modeling of Charge Trapping Effects in SiC MOSFETs
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Tibor GRASSER教授：Physical Modeling of Charge Trapping Effects in SiC MOSFETs
Physical Modeling of Charge Trapping Effects in SiC MOSFETsTibor GRASSER奧地利維也納工業(yè)大學(xué)微電子研究所所長、教授Tibor GRASSERProfessor and Head of the Institute for Microelectronics at Technische Universit?t Wien, Austria
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guansheng2023-05-22 13:45
鼎泰芯源晶體董事長趙有文：高質(zhì)量磷化銦和銻化鎵襯底制備技術(shù)進(jìn)展及批量生產(chǎn)
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鼎泰芯源晶體董事長趙有文：高質(zhì)量磷化銦和銻化鎵襯底制備技術(shù)進(jìn)展及批量生產(chǎn)
高質(zhì)量磷化銦和銻化鎵襯底制備技術(shù)進(jìn)展及批量生產(chǎn)Progress in Preparation Technology and Batch Production of High Quality InP and GaSb Substrates趙有文珠海鼎泰芯源晶體有限公司董事長ZHAO YouwenChairman of Zhuhai DT Wafer-Tech Co.,lTD
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guansheng2023-05-22 13:36
河北工業(yè)大學(xué)教授張紫輝：GaN半導(dǎo)體垂直腔面激光器的仿真設(shè)計(jì)與分析
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河北工業(yè)大學(xué)教授張紫輝：GaN半導(dǎo)體垂直腔面激光器的仿真設(shè)計(jì)與分析
GaN半導(dǎo)體垂直腔面激光器的仿真設(shè)計(jì)與分析Simulation Design and Analysis of GaN Semiconductor Vertical Cavity Surface Laser張紫輝河北工業(yè)大學(xué)教授ZHANG ZihuiProfessor of Hebei University of Technology
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guansheng2023-05-22 13:32
云南鍺業(yè)公司首席科學(xué)家惠峰：高品質(zhì)磷化銦襯底對(duì)激光器性能影響研究
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云南鍺業(yè)公司首席科學(xué)家惠峰：高品質(zhì)磷化銦襯底對(duì)激光器性能影響研究
高品質(zhì)磷化銦襯底對(duì)激光器性能影響研究Effect of High Quality InP Substrate on Laser Performance惠峰云南鍺業(yè)公司首席科學(xué)家、云南鑫耀半導(dǎo)體材料有限公司總經(jīng)理HUI FengChief Scientist of Yunan Germanium Co.,ltd
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guansheng2023-05-22 11:45
廈門大學(xué)助理教授梅洋：GaN基微腔激光器的制備
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廈門大學(xué)助理教授梅洋：GaN基微腔激光器的制備
GaN基微腔激光器的制備Fabrication of GaN based micro-cavity lasers梅洋廈門大學(xué)助理教授MEI YangAssistant Professor of Xiamen University
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guansheng2023-05-22 11:20
仕佳光子科技有源產(chǎn)品技術(shù)總監(jiān)黃永光：激光雷達(dá)用的1550nm磷化銦半導(dǎo)體激光器
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仕佳光子科技有源產(chǎn)品技術(shù)總監(jiān)黃永光：激光雷達(dá)用的1550nm磷化銦半導(dǎo)體激光器
激光雷達(dá)用的1550nm磷化銦半導(dǎo)體激光器1550 nm InP semiconductor laser for lidar黃永光河南仕佳光子科技股份有限公司有源產(chǎn)品技術(shù)總監(jiān),中科院半導(dǎo)體所研究員HUANG YongguangTechnical Director of Henan Shijia Photons Technology Co., Ltd., Professor of Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences
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guansheng2023-05-22 10:43
日本名城大學(xué)教授Tetsuya TAKEUCHI：Status and Prospects of GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasers
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日本名城大學(xué)教授Tetsuya TAKEUCHI：Status and Prospects of GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasers
Status and Prospects of GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasersTetsuya TAKEUCHI日本名城大學(xué)教授Tetsuya TAKEUCHIProfessor of Meijo University,Japan
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guansheng2023-05-22 10:36
中電科十三所基礎(chǔ)研究部主任房玉龍：使用MOCVD生長的QCL激光器
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中電科十三所基礎(chǔ)研究部主任房玉龍：使用MOCVD生長的QCL激光器
使用MOCVD生長的QCL激光器Epitaxy of mid- infrared quantum cascade lasers fully by MOCVD房玉龍中電科十三所基礎(chǔ)研究部主任FANG YulongHebei Semiconductor Institute
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guansheng2023-05-22 10:25
升譜光電副總經(jīng)理林勝：GaAs VCSEL 先進(jìn)封裝技術(shù)進(jìn)展及應(yīng)用
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升譜光電副總經(jīng)理林勝：GaAs VCSEL 先進(jìn)封裝技術(shù)進(jìn)展及應(yīng)用
GaAs VCSEL 先進(jìn)封裝技術(shù)進(jìn)展及應(yīng)用Progress of Advanced Packaging Techniques for GaAs-based VCSELs and Its Applications林勝寧波升譜光電股份有限公司副總經(jīng)理LIN ShengDeputy General Manager of NINGBO SUNPU LED CO.,LTD.
87800
guansheng2023-05-22 10:10
中國科學(xué)院蘇州納米所研究員劉建平：氮化鎵基激光器和超輻射管研究進(jìn)展
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中國科學(xué)院蘇州納米所研究員劉建平：氮化鎵基激光器和超輻射管研究進(jìn)展
氮化鎵基激光器和超輻射管研究進(jìn)展Progress of GaN based laser diodes and superluminescene diodes劉建平中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所納米器件研究部研究員LIU JianpingProfessor of Nanodevice Research Department of Suzhou Institute of Nanotechnology and Nanobionics, Chinese Academy of Sciences
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guansheng2023-05-22 10:07
長光華芯首席技術(shù)官王俊：激光雷達(dá)用大功率 GaAs VCSEL 激光芯片
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長光華芯首席技術(shù)官王俊：激光雷達(dá)用大功率 GaAs VCSEL 激光芯片
激光雷達(dá)用大功率 GaAs VCSEL 激光芯片High power GaAs VCSEL laser chip for lidar王俊蘇州長光華芯光電技術(shù)有限公司副董事長、首席技術(shù)官WANG JunVice Chairman and CTO for Suzhou Everbright Co.,ltd
87600
guansheng2023-05-22 10:00
波蘭高壓物理研究所研究員Mike LESZCZYNSKI：基于藍(lán)光半導(dǎo)體激光器的新器件：SWOT分析
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波蘭高壓物理研究所研究員Mike LESZCZYNSKI：基于藍(lán)光半導(dǎo)體激光器的新器件：SWOT分析
基于藍(lán)光半導(dǎo)體激光器的新器件：SWOT分析New devices based on blue laser diodes: SWOT analysis.Mike LESZCZYNSKI波蘭高壓物理研究所研究員Mike LESZCZYNSKIProfessor of Institute of High Pressure Physics, Poland
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guansheng2023-05-22 09:56
中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)周凱：基于表面電位的β-Ga2O3功率MOSFET緊湊模型
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中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)周凱：基于表面電位的β-Ga2O3功率MOSFET緊湊模型
基于表面電位的-Ga2O3功率MOSFET緊湊模型A Surface Potential Based Compact Model for -Ga2O3 Power MOSFETs周凱中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)ZHOU KaiChina University of Science and Technology
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guansheng2023-05-19 14:49
思體爾軟件副總經(jīng)理付昊：超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵及金剛石的晶體生長模擬研究
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思體爾軟件副總經(jīng)理付昊：超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵及金剛石的晶體生長模擬研究
超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵及金剛石的晶體生長模擬研究Modeling of ultrawide Bandgap Semiconductor crystal growth for Gallium oxide and Diamond付昊蘇州思體爾軟件科技有限公司副總經(jīng)理Henry FUVice General Manager of SuZhou STR Software Technology Co., Ltd.
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guansheng2023-05-19 14:47
英國布里斯托大學(xué)新興技術(shù)系主任Martin KUBALL教授：Ultrawide Bandgap Ga2O3 Technologies - Benefits of Heterogeneous Inte
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英國布里斯托大學(xué)新興技術(shù)系主任Martin KUBALL教授：Ultrawide Bandgap Ga2O3 Technologies - Benefits of Heterogeneous Inte
Ultrawide Bandgap Ga2O3 Technologies - Benefits of Heterogeneous IntegrationMartin KUBALL英國布里斯托大學(xué)新興技術(shù)系主任、教授Martin KUBALLRoyal Academy of Engineering Chair in Emerging Technologies at the University of Bristol, UK
90800
guansheng2023-05-19 14:46
香港科技大學(xué)副教授黃文海：橫向和縱向β-Ga2O3功率MOSFET的十年進(jìn)展
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香港科技大學(xué)副教授黃文海：橫向和縱向β-Ga2O3功率MOSFET的十年進(jìn)展
橫向和縱向-Ga2O3功率MOSFET的十年進(jìn)展A Decade of Advances in Lateral and Vertical -Ga2O3 Power MOSFETs黃文海香港科技大學(xué)副教授Man Hoi WONGAssociate Professor of The Hong Kong University of Science and Technology
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guansheng2023-05-19 14:45
山東大學(xué)副教授穆文祥：β-Ga2O3單晶的體晶生長與性能
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山東大學(xué)副教授穆文祥：β-Ga2O3單晶的體晶生長與性能
-Ga2O3單晶的體晶生長與性能Bulk crystal growth and properties of?-Ga2O3Single Crystal穆文祥山東大學(xué)副教授MU WenxiangAssociate Professor of Shandong University
94300
guansheng2023-05-19 14:44

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