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荷蘭代爾夫特理工大學教授Braham FERREIRA：寬禁帶功率半導體國際技術路線圖

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臺灣科技大學Hung-Wei CHEN：照明光對人體晝夜節律影響之研究

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意大利ORCHESTRA總裁Guido COLOMBO：工業4.0：對于電子工業和產品的大好時機

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英諾賽科科技有限公司董事長駱薇薇：硅基氮化鎵產業化發展的機遇與挑戰

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中國工程院院士陳良惠：固態照明的歷史使命與紫外LED的新機遇

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德國愛思強股份有限公司Vincent MERIC：化合物半導體外延量產解決方案

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2024年度中國第三代半導體技術十大進展

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長治市第三代半導體紫外LED產業發展規劃

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英國紐卡斯爾大學視覺神經科學教授Anya HURLBERT：不同光譜對人類健康的影響

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【視頻報告】鄭州大學Mussaab I. NIASS：藍寶石基B0.375GaN/B0.45GaN量子阱結構的激光二極管中n-p電極對于p型電導率的影響

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劉增：Strategies of Enhancing Self-powered Performances in Ga2O3-based Heterojunction Photodetectors
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劉增：Strategies of Enhancing Self-powered Performances in Ga2O3-based Heterojunction Photodetectors
Strategies of Enhancing Self-powered Performances in Ga2O3-based Heterojunction Photodetectors作者：李山，晏祖勇，劉增，唐為華單位：北京郵電大學理學院，南京郵電大學電子與光學工程學院、微電子學院
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limit2022-01-05 17:14
龍世兵：超寬禁帶氧化鎵半導體功率電子器件和光電探測器
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龍世兵：超寬禁帶氧化鎵半導體功率電子器件和光電探測器
《超寬禁帶氧化鎵半導體功率電子器件和光電探測器》作者：龍世兵，徐光偉，趙曉龍，孫海定單位：中國科學技術大學
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limit2022-01-05 17:12
朱昱豪：基于氮化鎵金屬-絕緣層-半導體高電子遷移率晶體管的單片集成DFF-NAND與DFF-NOR電路
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朱昱豪：基于氮化鎵金屬-絕緣層-半導體高電子遷移率晶體管的單片集成DFF-NAND與DFF-NOR電路
《基于氮化鎵金屬-絕緣層-半導體高電子遷移率晶體管的單片集成DFF-NAND與DFF-NOR電路》作者：朱昱豪，崔苗，李昂，方志成，文輝清，劉雯單位：西交利物浦大學智能工程學院
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limit2022-01-05 17:11
汪洋：半導體用SiC涂層石墨托盤的制備與國產化
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汪洋：半導體用SiC涂層石墨托盤的制備與國產化
《半導體用SiC涂層石墨托盤的制備與國產化》作者：汪洋，萬強單位：湖南德智新材料有限公司，南京工業大學材料科學與工程學院
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limit2022-01-05 17:09
皮孝東：半導體碳化硅晶圓生長和單晶加工
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皮孝東：半導體碳化硅晶圓生長和單晶加工
《半導體碳化硅晶圓生長和單晶加工》作者：皮孝東單位：浙江大學硅材料國家重點實驗室
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limit2022-01-05 17:02
袁昊：萬伏級4H-SiC基IGBT器件設計與制備技術
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袁昊：萬伏級4H-SiC基IGBT器件設計與制備技術
《萬伏級4H-SiC基IGBT器件設計與制備技術》作者：劉延聰，唐冠南，湯曉燕，袁昊，宋慶文，張玉明單位：西安電子科技大學，中國人民解放軍空軍工程大學
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limit2022-01-05 17:00
陸海：面向復雜電氣應用環境的高可靠性GaN功率電子器件研究
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陸海：面向復雜電氣應用環境的高可靠性GaN功率電子器件研究
《面向復雜電氣應用環境的高可靠性GaN功率電子器件研究》作者：陸海，張榮，鄭有炓單位：南京大學電子科學與工程學院
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limit2022-01-05 16:58
劉婷：Suppression of the Regrowth Interface Leakage Current in AlGaN/GaN HEMTs by Unactivated Mg Doped
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劉婷：Suppression of the Regrowth Interface Leakage Current in AlGaN/GaN HEMTs by Unactivated Mg Doped
Suppression of the Regrowth Interface Leakage Current in AlGaN/GaN HEMTs by Unactivated Mg Doped GaN Layer作者：劉婷, 渡邊浩崇 ,新田州吾,王嘉,于國浩,安藤裕二, 本田善央, 天野浩,田中墩之,小出康夫單位：名古屋大學未來材料系統研究所，名古屋大學電子學系，北京化工大學數理學院
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limit2022-01-05 16:56
化夢媛：常關型 GaN PNJ-HEMT 柵極漏電機理及閾值電壓穩定性
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化夢媛：常關型 GaN PNJ-HEMT 柵極漏電機理及閾值電壓穩定性
《常關型 GaN PNJ-HEMT 柵極漏電機理及閾值電壓穩定性》作者：化夢媛，李玲玲，王成財，姜作衡單位：南方科技大學
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limit2022-01-05 16:54
馬騁：硅基氮化鎵外延材料射頻損耗產生機理及其抑制方法
2520
馬騁：硅基氮化鎵外延材料射頻損耗產生機理及其抑制方法
《硅基氮化鎵外延材料射頻損耗產生機理及其抑制方法》作者：馬騁，楊學林，劉丹爍，蔡子東，陳正昊，沈波單位：北京大學物理學院人工微結構與介觀物理國家重點實驗室
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limit2022-01-05 16:53
朱廣潤：微波毫米波器件新進展
2330
朱廣潤：微波毫米波器件新進展
《GaN微波毫米波器件新進展》作者：張凱，朱廣潤，代鯤鵬，賈晨陽，房柏彤，李傳浩，周浩，孫巖，吳立樞，程鈺杰，王偉凡，李忠輝，陳堂勝單位：南京電子器件研究所，南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司
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limit2022-01-05 16:51
劉建勛：大尺寸硅基GaN射頻器件材料外延生長研究
2700
劉建勛：大尺寸硅基GaN射頻器件材料外延生長研究
《大尺寸硅基GaN射頻器件材料外延生長研究》作者：劉建勛，詹曉寧，孫秀建，黃應南，高宏偉，孫錢，楊輝單位：中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所，中國科學技術大學納米技術與納米仿生學院
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limit2022-01-05 16:49
馬曉華：面向終端應用的GaN射頻芯片研究
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馬曉華：面向終端應用的GaN射頻芯片研究
《面向終端應用的GaN射頻芯片研究》作者：馬曉華代講：祝杰杰單位：西安電子科技大學
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limit2022-01-05 16:45
馮志紅：氮化鎵高功率太赫茲源
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馮志紅：氮化鎵高功率太赫茲源
《氮化鎵高功率太赫茲源》作者：馮志紅單位：中國電子科技集團公司第十三研究所
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limit2022-01-05 16:38
Maocheng Shan：Transverse electric lasing at record short wavelength 244.63 nm from GaN quantum wells
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Maocheng Shan：Transverse electric lasing at record short wavelength 244.63 nm from GaN quantum wells
Transverse electric lasing at record short wavelength 244.63 nm from GaN quantum wells with weak exciton localizationAuthor：Maocheng Shan, Yi Zhang, Xiaohang Li, Changqing ChenInstitute：Wuhan National Laboratory for Optoelectronics, King Abdullah University of Science and Technology (KAUST)
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limit2022-01-05 16:16
蔣迪：金屬雙面鏡高性能表面等離激元激光器及其物理機制的研究
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蔣迪：金屬雙面鏡高性能表面等離激元激光器及其物理機制的研究
《金屬雙面鏡高性能表面等離激元激光器及其物理機制的研究》作者：蔣迪，陶濤，智婷，劉斌，張榮，鄭有炓單位：江蘇省光電信息功能材料重點實驗室、南京郵電大學
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limit2022-01-05 16:08
梁鋒：GaN基大功率藍光激光器
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梁鋒：GaN基大功率藍光激光器
《GaN基大功率藍光激光器》作者：梁鋒，趙德剛單位：中國科學院半導體研究所
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limit2022-01-05 16:06
劉建平：大功率氮化鎵激光器研究進展
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劉建平：大功率氮化鎵激光器研究進展
《大功率氮化鎵激光器研究進展》作者：劉建平單位：中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
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limit2022-01-05 15:57
云峰：Lasing characteristics of GaN-based whispering gallery mode optical microcavity
870
云峰：Lasing characteristics of GaN-based whispering gallery mode optical microcavity
Lasing characteristics of GaN-based whispering gallery mode optical microcavityAuthor/作者：Feng Yun（云峰）, Peng Hu（胡朋）,Yufeng Li（李虞鋒）, Qiang Li（李強）,Ye Zhang(張燁)Institute：Shaanxi Provincial Key Laboratory of PhotonicsInformation Technology, Xian Jiaotong University
8700
limit2022-01-05 15:49
孫錢：硅襯底GaN基激光器研究進展
3840
孫錢：硅襯底GaN基激光器研究進展
《硅襯底GaN基激光器研究進展》作者：馮美鑫，劉建勛，孫錢，楊輝單位：中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
38400
limit2022-01-05 15:36

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