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荷蘭代爾夫特理工大學(xué)教授Braham FERREIRA：寬禁帶功率半導(dǎo)體國際技術(shù)路線圖

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臺(tái)灣科技大學(xué)Hung-Wei CHEN：照明光對(duì)人體晝夜節(jié)律影響之研究

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意大利ORCHESTRA總裁Guido COLOMBO：工業(yè)4.0：對(duì)于電子工業(yè)和產(chǎn)品的大好時(shí)機(jī)

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英諾賽科科技有限公司董事長駱薇薇：硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的機(jī)遇與挑戰(zhàn)

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中國工程院院士陳良惠：固態(tài)照明的歷史使命與紫外LED的新機(jī)遇

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德國愛思強(qiáng)股份有限公司Vincent MERIC：化合物半導(dǎo)體外延量產(chǎn)解決方案

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2024年度中國第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進(jìn)展

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長治市第三代半導(dǎo)體紫外LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃

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英國紐卡斯?fàn)柎髮W(xué)視覺神經(jīng)科學(xué)教授Anya HURLBERT：不同光譜對(duì)人類健康的影響

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【視頻報(bào)告】鄭州大學(xué)Mussaab I. NIASS：藍(lán)寶石基B0.375GaN/B0.45GaN量子阱結(jié)構(gòu)的激光二極管中n-p電極對(duì)于p型電導(dǎo)率的影響

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Yogi Ota: Wide Bandgap Semiconductor, R&D History and Practical Knowledge
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Yogi Ota: Wide Bandgap Semiconductor, R&D History and Practical Knowledge
Wide Bandgap Semiconductor, RD History and Practical Knowledge Prof. Yogi Ota TKK Innovation Laboratory
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limit2022-01-13 09:56
邱宇峰：18 kV SiC IGBT 的研制
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邱宇峰：18 kV SiC IGBT 的研制
《18 kV SiC IGBT 的研制》邱宇峰廈門大學(xué)講座教授國家電網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院
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limit2022-01-13 09:54
李晉閩：深紫外 LED 研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化
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李晉閩：深紫外 LED 研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化
《深紫外 LED 研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化》李晉閩研究員中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
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limit2022-01-13 09:52
徐現(xiàn)剛：碳化硅單晶襯底的研究進(jìn)展及發(fā)展趨勢(shì)
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徐現(xiàn)剛：碳化硅單晶襯底的研究進(jìn)展及發(fā)展趨勢(shì)
《碳化硅單晶襯底的研究進(jìn)展及發(fā)展趨勢(shì)》徐現(xiàn)剛教授山東大學(xué)
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limit2022-01-11 17:24
沈波：高質(zhì)量 AlN 單晶襯底和外延薄膜的制備
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沈波：高質(zhì)量 AlN 單晶襯底和外延薄膜的制備
《高質(zhì)量 AlN 單晶襯底和外延薄膜的制備》沈波教授北京大學(xué)
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limit2022-01-11 17:23
劉紀(jì)美：High performance GaN vertical trench gate MOSFETs
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劉紀(jì)美：High performance GaN vertical trench gate MOSFETs
High performance GaN vertical trench gate MOSFETs劉紀(jì)美教授香港科技大學(xué)
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limit2022-01-11 17:22
王濤：Selective Epitaxy: A direct epitaxy approach to achieve a monolithic on-chip integration of μLEDs
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王濤：Selective Epitaxy: A direct epitaxy approach to achieve a monolithic on-chip integration of μLEDs
Selective Epitaxy: A direct epitaxy approach to achieve a monolithic on-chipintegration of LEDs and HEMTs for micro-display and VLC 王濤教授英國謝菲爾德大學(xué)
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limit2022-01-11 10:01
郭浩中：新型 Micro-LED 在顯示與通信領(lǐng)域的應(yīng)用
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《新型 Micro-LED 在顯示與通信領(lǐng)域的應(yīng)用》郭浩中教授臺(tái)灣交通大學(xué)
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limit2022-01-11 10:00
徐科：氮化鎵單晶材料的 HVPE 法與液相法生長研究
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《氮化鎵單晶材料的 HVPE 法與液相法生長研究》徐科研究員中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所
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limit2022-01-11 09:59
張榮：基于寬禁帶半導(dǎo)體量子結(jié)構(gòu)的物理效應(yīng)與器件應(yīng)用
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張榮：基于寬禁帶半導(dǎo)體量子結(jié)構(gòu)的物理效應(yīng)與器件應(yīng)用
基于寬禁帶半導(dǎo)體量子結(jié)構(gòu)的物理效應(yīng)與器件應(yīng)用張榮教授廈門大學(xué)
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limit2022-01-10 13:09
林科闖：大功率 GaN 藍(lán)綠激光器芯片設(shè)計(jì)、生長和制作
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林科闖：大功率 GaN 藍(lán)綠激光器芯片設(shè)計(jì)、生長和制作
大功率 GaN 藍(lán)綠激光器芯片設(shè)計(jì)、生長和制作林科闖總經(jīng)理三安光電股份有限公司
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limit2022-01-10 13:09
郝躍：寬禁帶與超寬禁帶半導(dǎo)體電子器件若干新進(jìn)展
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郝躍：寬禁帶與超寬禁帶半導(dǎo)體電子器件若干新進(jìn)展
寬禁帶與超寬禁帶半導(dǎo)體電子器件若干新進(jìn)展郝躍院士西安電子科技大學(xué)
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limit2022-01-10 13:08
Long Yan: Optimization of AlGaN based UVC LED Structure at Prismo HiT3?
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Long Yan: Optimization of AlGaN based UVC LED Structure at Prismo HiT3?
Optimization of AlGaN based UVC LED Structure at Prismo HiT3 Author: Long Yan, Jason Hu, Shangfeng Liu, Xinqiang Wang, Vincent Wang, Shiping Guo Institute: Advanced Micro-fabrication Equipment Inc. (China), Peking University
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limit2022-01-10 12:56
青年論壇圓桌對(duì)話
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青年論壇圓桌對(duì)話
青年論壇圓桌討論主持人：徐科特邀嘉賓：于坤山、林瑞梅、陸海、陳凱軒Topic 1：十四五規(guī)劃下，新型半導(dǎo)體材料的機(jī)遇與挑戰(zhàn)是什么：Topic 2：寬禁帶半導(dǎo)體前沿技術(shù)如何高效地產(chǎn)學(xué)融合？Topic 3：怎樣看待變革性技術(shù)中寬禁帶半導(dǎo)體的使命？
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limit2022-01-10 12:55
蔣科：寬禁帶氮化物半導(dǎo)體紫外探測(cè)器研究
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蔣科：寬禁帶氮化物半導(dǎo)體紫外探測(cè)器研究
《寬禁帶氮化物半導(dǎo)體紫外探測(cè)器研究》作者：蔣科，孫曉娟，郭龍，張山麗，陳雨軒，黎大兵單位：中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所
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limit2022-01-10 11:08
黃火林：GaN基增強(qiáng)型HEMT器件關(guān)鍵技術(shù)
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黃火林：GaN基增強(qiáng)型HEMT器件關(guān)鍵技術(shù)
《GaN基增強(qiáng)型HEMT器件關(guān)鍵技術(shù)》作者：黃火林單位：大連理工大學(xué)光電工程與儀器科學(xué)學(xué)院
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limit2022-01-10 11:07
俞冬雷：高效P型摻雜鎂源特性及外延中應(yīng)用優(yōu)劣分析
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俞冬雷：高效P型摻雜鎂源特性及外延中應(yīng)用優(yōu)劣分析
《高效P型摻雜鎂源特性及外延中應(yīng)用優(yōu)劣分析》作者：俞冬雷, 徐昕，王偉，李強(qiáng)強(qiáng)，王宏波，鄭銳單位：安徽亞格盛電子新材料有限公司
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limit2022-01-10 10:57
梅洋：GaN基VCSEL技術(shù)進(jìn)展
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梅洋：GaN基VCSEL技術(shù)進(jìn)展
《GaN基VCSEL技術(shù)進(jìn)展》作者：梅洋，許榮彬，應(yīng)磊瑩，龍浩，鄭志威，張保平單位：廈門大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院
12300
limit2022-01-10 10:40
孫瑞澤：全氮化鎵集成器件與電路的發(fā)展與挑戰(zhàn)
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孫瑞澤：全氮化鎵集成器件與電路的發(fā)展與挑戰(zhàn)
《全氮化鎵集成器件與電路的發(fā)展與挑戰(zhàn)》作者：孫瑞澤，劉超，陳萬軍，張波單位：電子科技大學(xué)電子薄膜與集成器件國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，電子科技大學(xué)四川省功率半導(dǎo)體技術(shù)工程研究中心
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limit2022-01-10 10:39
吳挺竹：利用ALD技術(shù)改善mini-LED的光電與通信性能
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吳挺竹：利用ALD技術(shù)改善mini-LED的光電與通信性能
《利用ALD技術(shù)改善mini-LED的光電與通信性能》作者：盧霆威，賴壽強(qiáng)，潘建華，陳金蘭，黃岳，葉方順，郭浩中，陳忠，吳挺竹單位：廈門大學(xué)電子科學(xué)系，臺(tái)灣陽明交通大學(xué)光電工程學(xué)系
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limit2022-01-10 10:28

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