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荷蘭代爾夫特理工大學教授Braham FERREIRA：寬禁帶功率半導體國際技術路線圖

荷蘭代爾夫特理工大學教授Braham FERREIRA：寬禁帶功率半導體國際技術路線圖

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臺灣科技大學Hung-Wei CHEN：照明光對人體晝夜節律影響之研究

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意大利ORCHESTRA總裁Guido COLOMBO：工業4.0：對于電子工業和產品的大好時機

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英諾賽科科技有限公司董事長駱薇薇：硅基氮化鎵產業化發展的機遇與挑戰

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中國工程院院士陳良惠：固態照明的歷史使命與紫外LED的新機遇

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德國愛思強股份有限公司Vincent MERIC：化合物半導體外延量產解決方案

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2024年度中國第三代半導體技術十大進展

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長治市第三代半導體紫外LED產業發展規劃

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英國紐卡斯爾大學視覺神經科學教授Anya HURLBERT：不同光譜對人類健康的影響

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【視頻報告】鄭州大學Mussaab I. NIASS：藍寶石基B0.375GaN/B0.45GaN量子阱結構的激光二極管中n-p電極對于p型電導率的影響

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【極智課堂】西安電子科技大學張金風教授：金剛石超寬禁帶半導體材料和器件新進展
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【極智課堂】西安電子科技大學張金風教授：金剛石超寬禁帶半導體材料和器件新進展
西安電子科技大學教授張金風做了題為金剛石超寬禁帶半導體材料和器件新進展的主題報告。她介紹說，金剛石屬于新興的超寬禁帶半導體材料，具有禁帶寬度大，耐擊穿，載流子遷移率高，熱導率極高，抗輻照等優點。在熱沉，大功率、高頻器件，光學窗口，量子信息等領域具有極大應用潛力。報告中介紹了大尺寸金剛石單晶的制備方法最成功的是同質外延的克隆拼接生長方法和在Ir襯底上異質外延的生長方法。她表示，實現室溫下高電離率的體摻
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limit2020-02-01 16:23
日本國立佐賀大學電氣電子系教授郭其新：超寬禁帶氧化半導體的生長和特性
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日本國立佐賀大學電氣電子系教授郭其新：超寬禁帶氧化半導體的生長和特性
日本國立佐賀大學同步輻射光應用研究中心主任、電氣電子系教授郭其新帶來了題為超寬禁帶氧化半導體的生長和特性的主題報告。郭其新主要從事半導體材料制備與表征，同步輻射光應用研究。報告中主要介紹了Ga2O3等寬禁帶氧化半導體薄膜的生長和特性。通過對于In和Al元素的調整我們可以調整Ga2O3或Ga2O3薄膜的能帶寬度。研究制備了Ga2O3:Er/Si LED，其驅動電壓稍微比ZnO:Er/Si或者GaN:Er/Si的要低。同時，還研究了Eu摻雜的Ga2O3薄膜的
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limit2020-02-01 16:22
鍇威特總裁丁國華：自主創芯助力中國工業4.0
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鍇威特總裁丁國華：自主創芯助力中國工業4.0
蘇州鍇威特半導體股份有限公司董事長丁國華分享：《自主創芯助力中國工業4.0》暨SiC功率半導體產品發布！
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limit2020-02-01 16:22
鍇威特研發副總譚在超：SiC MOSFET的產品特征及在電力電子的應用機遇
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鍇威特研發副總譚在超：SiC MOSFET的產品特征及在電力電子的應用機遇
蘇州鍇威特半導體股份有限公司研發副總譚在超《SiC MOSFET的產品特征及在電力電子的應用機遇》
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limit2020-02-01 16:21
中國科學技術大學龍世兵：氧化鎵超寬禁帶半導體器件
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中國科學技術大學龍世兵：氧化鎵超寬禁帶半導體器件
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limit2020-02-01 10:50
芯謀研究總監李國強：功率半導體的市場分析
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芯謀研究總監李國強：功率半導體的市場分析
芯謀研究總監李國強：功率半導體的市場分析
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limit2020-02-01 10:39
西安電子科技大學微電子學院院長張玉明：SiC MOSFET高閾值的實現及給應用帶來的優勢
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西安電子科技大學微電子學院院長張玉明：SiC MOSFET高閾值的實現及給應用帶來的優勢
西安電子科技大學微電子學院院長張玉明：SiC MOSFET高閾值的實現及給應用帶來的優勢
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limit2020-02-01 10:36
加拿大多倫多大學教授吳偉東：用于增強型GaN功率晶體管的智能門極驅動芯片
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加拿大多倫多大學教授吳偉東：用于增強型GaN功率晶體管的智能門極驅動芯片
加拿大多倫多大學教授吳偉東分享了《用于增強型GaN功率晶體管的智能門極驅動芯片》研究報告。吳偉東，多倫多大學電子與計算機工
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limit2020-01-28 12:45
美國NAURA-Akrion, Inc.首席技術官Ismail I. KASHKOUSH：基于碳化硅器件制造的先進化學濃度控制技術
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美國NAURA-Akrion, Inc.首席技術官Ismail I. KASHKOUSH：基于碳化硅器件制造的先進化學濃度控制技術
美國NAURA-Akrion, Inc.首席技術官Ismail I. KASHKOUSH分享了基于碳化硅器件制造的先進化學濃度控制技術的研究成果。在傳統的MEMS制備中，相對惰性化合物（比如Si3N4）通常用于刻蝕停止或者制備襯底中的掩膜。然而這種材料需要了解刻蝕對于襯底的選擇性。對于過去的20年，研究發現碳化硅（SiC）因為其化學性質比較惰性已經可以作為傳統批量微加工刻蝕停止的替代物。包括燃料霧化器，壓力傳感器和微型模具等MEMS應用中可以使用典型
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limit2019-12-31 13:02
德國愛思強股份有限公司Vincent MERIC：化合物半導體外延量產解決方案
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德國愛思強股份有限公司Vincent MERIC：化合物半導體外延量產解決方案
德國愛思強股份有限公司Vincent MERIC分享了化合物半導體外延量產解決方案，討論6英寸到8英寸的GaAs VCSEL激光器、GaN/InGaAs Mi
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limit2019-12-31 12:42
荷蘭代爾夫特理工大學教授Braham FERREIRA：寬禁帶功率半導體國際技術路線圖
59280
荷蘭代爾夫特理工大學教授Braham FERREIRA：寬禁帶功率半導體國際技術路線圖
荷蘭代爾夫特理工大學教授Braham FERREIRA帶來了題為寬禁帶功率半導體國際技術路線圖的精彩報告，介紹了寬禁帶功率半導體國際技
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limit2019-12-31 12:41
瑞典隆德大學教授Lars SAMUELSON：針對MicroLED和自形成光子結構的納米線應用
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瑞典隆德大學教授Lars SAMUELSON：針對MicroLED和自形成光子結構的納米線應用
瑞典隆德大學教授、瑞典皇家科學院院士、Glo AB創始人Lars SAMUELSON帶來了題為針對MicroLED和自形成光子結構的納米線應用的精彩
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limit2019-12-31 12:40
英諾賽科科技有限公司董事長駱薇薇：硅基氮化鎵產業化發展的機遇與挑戰
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英諾賽科科技有限公司董事長駱薇薇：硅基氮化鎵產業化發展的機遇與挑戰
英諾賽科科技有限公司董事長駱薇薇分享了硅基氮化鎵產業化發展的機遇與挑戰。駱薇薇在美國宇航局（NASA）工作了15年，并創辦了兩
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limit2019-12-31 12:38
加拿大CROSSLIGHT半導體軟件公司創立人兼總裁李湛明：寬禁帶器件的設計和TCAD模擬
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加拿大CROSSLIGHT半導體軟件公司創立人兼總裁李湛明：寬禁帶器件的設計和TCAD模擬
加拿大CROSSLIGHT半導體軟件公司創立人兼總裁李湛明分享了《寬禁帶器件的設計和TCAD模擬》研究報告。早年經華人諾獎得主李政道博
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limit2019-12-30 13:04
英諾賽科研發中心副總裁David C. ZHOU：200mm 40V-650V E型硅基氮化鎵材料功率器件技術：從器件、封裝、到系統
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英諾賽科研發中心副總裁David C. ZHOU：200mm 40V-650V E型硅基氮化鎵材料功率器件技術：從器件、封裝、到系統
英諾賽科研發中心副總裁David C. ZHOU分享了《200mm 40V-650V E型硅基氮化鎵材料功率器件技術：從器件、封裝、到系統》研究報告
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limit2019-12-30 13:03
日本德島大學教授敖金平：常關型AlGaN/GaN HFET功率器件的發展
32330
日本德島大學教授敖金平：常關型AlGaN/GaN HFET功率器件的發展
日本德島大學教授、西安電子科技大學特聘教授敖金平分享了《常關型AlGaN/GaN HFET功率器件的發展》技術報告。敖金平博士1989年畢
323300
limit2019-12-29 13:00
美的集團林世紅：紫外LED在白色家電領域的應用進展及面臨問題
32801
美的集團林世紅：紫外LED在白色家電領域的應用進展及面臨問題
美的集團林世紅：紫外LED在白色家電領域的應用進展及面臨問題
328011
limit2019-05-31 17:39
杭州慧億科技孟楠：UVC LED殺菌模組的優化設計與驗證
32500
杭州慧億科技孟楠：UVC LED殺菌模組的優化設計與驗證
杭州慧億科技孟楠：UVC LED殺菌模組的優化設計與驗證
325000
limit2019-05-31 17:34
湖北深紫科技陳景文：深紫外UVC-LED殺菌方案深度設計
24090
湖北深紫科技陳景文：深紫外UVC-LED殺菌方案深度設計
湖北深紫科技陳景文：深紫外UVC-LED殺菌方案深度設計
240900
limit2019-05-31 17:26
長治市第三代半導體紫外LED產業發展規劃
44530
長治市第三代半導體紫外LED產業發展規劃
《長治市第三代半導體紫外LED產業發展規劃（2019-2023）》（下稱規劃）正式發布。《規劃》結合當前節能環保紫外LED產業發展現狀
445300
limit2019-05-31 17:24

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