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最新動態

荷蘭代爾夫特理工大學教授Braham FERREIRA：寬禁帶功率半導體國際技術路線圖

荷蘭代爾夫特理工大學教授Braham FERREIRA：寬禁帶功率半導體國際技術路線圖

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臺灣科技大學Hung-Wei CHEN：照明光對人體晝夜節律影響之研究

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意大利ORCHESTRA總裁Guido COLOMBO：工業4.0：對于電子工業和產品的大好時機

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英諾賽科科技有限公司董事長駱薇薇：硅基氮化鎵產業化發展的機遇與挑戰

英諾賽科科技有限公司董事長駱薇薇：硅基氮化鎵產業化發展的機遇與挑戰

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中國工程院院士陳良惠：固態照明的歷史使命與紫外LED的新機遇

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德國愛思強股份有限公司Vincent MERIC：化合物半導體外延量產解決方案

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2024年度中國第三代半導體技術十大進展

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長治市第三代半導體紫外LED產業發展規劃

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英國紐卡斯爾大學視覺神經科學教授Anya HURLBERT：不同光譜對人類健康的影響

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【視頻報告】鄭州大學Mussaab I. NIASS：藍寶石基B0.375GaN/B0.45GaN量子阱結構的激光二極管中n-p電極對于p型電導率的影響

【視頻報告】鄭州大學Mussaab I. NIASS：藍寶石基B0.375GaN/B0.45GaN量子阱結構的激光二極管中n-p電極對于p型電導率的影響

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【視頻報告 2018】加拿大多倫多大學吳偉東教授：用于GaN功率晶體管的智能柵極驅動器IC
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【視頻報告 2018】加拿大多倫多大學吳偉東教授：用于GaN功率晶體管的智能柵極驅動器IC
與功率MOS場效應晶體管相比，驅動氮化鎵功率晶體管存在諸多困難，這些困難包括閾值電壓低、最大柵極電壓和額定柵極電壓之間的公差狹小、高轉換速率帶來的電流變化率和電壓變化率問題。現有的氮化鎵驅動集成電路需要外部電阻器設定上拉速度和下拉速度，這將導致印刷電路板空間和額外寄生效應的增加。現有的氮化鎵驅動集成電路的其他缺陷諸如固定的輸出電壓、無精確定時控制能力等也限制了其應用。加拿大多倫多大學教授吳偉東分享了
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limit2021-04-29 12:05
【視頻報告 2018】北京大學馮玉霞博士：Si襯底上GaN基外延材料生長及雜質缺陷研究
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【視頻報告 2018】北京大學馮玉霞博士：Si襯底上GaN基外延材料生長及雜質缺陷研究
垂直氮化鎵器件，尤其是硅襯底上，因其低成本襯底而引起了人們對大功率應用的廣泛關注。但其性能仍低于氮化鎵襯底上的垂直氮化鎵器件。關鍵問題是在硅襯底上實現低位錯密度和連續厚氮化鎵層具有挑戰性。會上，北京大學馮玉霞博士結合具體的研究實踐，分享了Si襯底上GaN基外延材料生長及雜質缺陷研究的成果，首次提供了在C摻雜半絕緣氮化鎵中取代C原子占據N位點的明確證據。
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limit2021-04-29 12:05
【視頻報告 2018】電子科技大學明鑫教授：功率GaN器件驅動技術研究進展
9770
【視頻報告 2018】電子科技大學明鑫教授：功率GaN器件驅動技術研究進展
電子科技大學教授明鑫帶來了功率GaN器件驅動技術的報告，分享了該技術領域的最新進展。
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limit2021-04-29 12:04
【視頻報告 2018】中科院半導體所張翔：關于石墨烯提升氮化鋁核化以及高質量氮化鋁薄膜外延層
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【視頻報告 2018】中科院半導體所張翔：關于石墨烯提升氮化鋁核化以及高質量氮化鋁薄膜外延層
中科院半導體所張翔帶來了關于石墨烯提升氮化鋁核化以及高質量氮化鋁薄膜外延層的報告，分享了該領域的研究動態以及研究成果。
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limit2021-04-29 12:04
【視頻報告 2019】河北工業大學教授張紫輝：基于氮化物半導體和碳化硅光電子器件的仿真與分析
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【視頻報告 2019】河北工業大學教授張紫輝：基于氮化物半導體和碳化硅光電子器件的仿真與分析
河北工業大學教授張紫輝帶來了題為基于氮化物半導體和碳化硅光電子器件的仿真與分析的精彩報告，介紹基于氮化物半導體和SiC材料光電子器件仿真與分析的最新結果。研究通過極化調制、摻雜調控等手段適當調節載流子的能量以改善AlGaN基深紫外發光二極管(DUV LED) 載流子的注入效率，通過局部調控摻雜類型改善了DUV LED的電流擴展，并揭示了器件機理；此外，針對GaN基核/殼LED以及Micro-LED的器件物理進行了詳細研究，系統探究了各種
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limit2021-04-29 10:46
【視頻報告 2019】南京大學教授陸海：寬禁帶半導體紫外光電探測器及其應用進展
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【視頻報告 2019】南京大學教授陸海：寬禁帶半導體紫外光電探測器及其應用進展
南京大學教授陸海報告中介紹了寬禁帶半導體紫外光電探測器及其應用進展。介紹了基于III族氮化物半導體和SiC的高性能UV光電探測器的材料生長，設計和制造方面的最新工作。
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limit2021-04-29 10:46
【視頻報告 2019】Ismail I. KASHKOUSH：下一代半導體器件外延制備前期的襯底清理技術
7670
【視頻報告 2019】Ismail I. KASHKOUSH：下一代半導體器件外延制備前期的襯底清理技術
視頻簡介：下一代半導體器件外延制備前期的襯底清理技術 In-situ Wafer Cleaning for Pre-Epitaxial Deposition for Next Generation Semiconductor DevicesIsmail I. KASHKOUSH美國NAURA-Akrion, Inc.首席技術官 Ismail I. KASHKOUSHChief Technology Officer (CTO) of NAURA-Akrion, Inc., USA
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limit2021-04-29 10:23
【極智課堂】芯謀研究總監李國強：功率半導體的市場分析
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【極智課堂】芯謀研究總監李國強：功率半導體的市場分析
芯謀研究總監李國強《功率半導體的市場分析》
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limit2021-04-26 16:21
【視頻報告】英諾賽科董事長駱薇薇：硅基氮化鎵產業化發展的機遇與挑戰
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【視頻報告】英諾賽科董事長駱薇薇：硅基氮化鎵產業化發展的機遇與挑戰
英諾賽科科技有限公司董事長駱薇薇分享了硅基氮化鎵產業化發展的機遇與挑戰。駱薇薇在美國宇航局（NASA）工作了15年，并創辦了兩
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limit2021-04-26 15:05
國際第三代半導體產業發展高峰論壇
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國際第三代半導體產業發展高峰論壇
論壇將邀請來自產業鏈領先企業的專家就各自領域的技術現狀、應用趨勢與挑戰進行了精彩解析，并在論壇中進行《2020新基建風口下第
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limit2020-08-27 13:54
三安集成陳東坡博士：三安光電化合物半導體發展規劃與進展
14490
三安集成陳東坡博士：三安光電化合物半導體發展規劃與進展
化合物半導體是未來核心材料，市場逐步擴大，全球各大廠商都在布局化合物半導體產業鏈，在功率器件、射頻器件，與終端消費電子領
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limit2020-03-31 12:35
美國Aymont Technology Inc總裁Larry B. ROWLAND：碳化硅裝備和PVT晶體生長的關系
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美國Aymont Technology Inc總裁Larry B. ROWLAND：碳化硅裝備和PVT晶體生長的關系
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limit2020-03-19 11:29
【視頻報告 2019】天科合達副總經理兼技術總監劉春?。捍蟪叽缣蓟鑶尉L研究及產業進展
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【視頻報告 2019】天科合達副總經理兼技術總監劉春俊：大尺寸碳化硅單晶生長研究及產業進展
報告嘉賓：北京天科合達半導體股份有限公司副總經理兼技術總監劉春俊博士報告主題：《大尺寸碳化硅單晶生長研究及產業進展》
161700
limit2020-03-19 10:27
意大利ORCHESTRA總裁Guido COLOMBO：工業4.0：對于電子工業和產品的大好時機
56790
意大利ORCHESTRA總裁Guido COLOMBO：工業4.0：對于電子工業和產品的大好時機
報告簡介工業4.0：對于電子工業和產品的大好時機 INDUSTRY4.0 as A Major Opportunity for Electronics Processes and Products Guido COLOMBO意大利ORCHESTRA總裁 Guido COLOMBOPresidentCEO of ORCHESTRA, Italy
567900
limit2020-03-10 10:22
【視頻報告】廈門大學副教授林偉：單晶4H型碳化硅臺階生長機理
22700
【視頻報告】廈門大學副教授林偉：單晶4H型碳化硅臺階生長機理
報告簡介單晶4H型碳化硅臺階生長機理 The step growth mechanism for 4H-SiC with Improved Single Polytypes林偉廈門大學副教授 LINWeiAssociate Professor of Xiamen University
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limit2020-03-08 10:21
【視頻報告】北京大學劉放：高質量h-BN薄層和針對III族氮化物外延的緩沖層應用
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【視頻報告】北京大學劉放：高質量h-BN薄層和針對III族氮化物外延的緩沖層應用
北京大學劉放做了題為高質量h-BN薄層和針對III族氮化物外延的緩沖層應用的主題報告，分享了在Al2O3（0001）基底上MBE異位高溫退火合成結晶h-BN，晶體h-BN作為Ⅲ族氮化物外延柔性緩沖層的應用的研究成果。
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limit2020-02-02 16:27
西安衛光科技微晶微電子總工程師馮巍博士：SiC功率MOSFET封裝工藝
12610
西安衛光科技微晶微電子總工程師馮巍博士：SiC功率MOSFET封裝工藝
西安衛光科技微晶微電子有限公司總工程師、博士馮巍《SiC功率MOSFET封裝工藝》
126100
limit2020-02-02 16:22
【視頻】西安交通大學副教授李強：六方氮化硼薄膜的磁控濺射制備及光電特性
15350
【視頻】西安交通大學副教授李強：六方氮化硼薄膜的磁控濺射制備及光電特性
西安交通大學副教授李強做了題為射頻濺射技術制備h-BN薄膜的制作與應用的主題報告，分享了濺射制備的hBN膜,包括工藝條件的選擇，hBN的性質，以及hBN膜的應用，包括電阻開關行為等內容。報告指出，所制備的hBN膜可以在大面積上獲得良好的光滑度。由BN和BAlN薄膜組成的DBR可以在UVA波段實現高反射。首先在Ag / hBN / Al結構中觀察到通過濺射制備的hBN膜的RS行為。摻鋁氮化硼薄膜的RS窗口明顯增加。
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limit2020-02-01 16:25
【視頻報告】鄭州大學教授劉玉懷：通過MOVPE在AlN /藍寶石模板上外延生長h-BN薄膜
21080
【視頻報告】鄭州大學教授劉玉懷：通過MOVPE在AlN /藍寶石模板上外延生長h-BN薄膜
鄭州大學教授劉玉懷做了題為氮化鋁/藍寶石模板上六方氮化硼薄膜的有機金屬氣相外延研究的報告，介紹了多層h-BN膜的表面和結晶度、微觀結構和鍵合結構。h-BN在AlN上的生長模型等研究內容。研究成功證明了通過脈沖模式MOVPE在AlN模板上直接生長單晶多層h-BN，在AlN表面上形成連續和聚結的多層h-BN，提出了初始帽形核的生長模型，然后在AlN上進行h-BN的二維橫向生長。
210800
limit2020-02-01 16:24
瑞士MicrodiamantChristian JENTGENS：多晶金剛石微納米粉在SiC晶片加工中的應用及其關鍵工藝技術
21110
瑞士MicrodiamantChristian JENTGENS：多晶金剛石微納米粉在SiC晶片加工中的應用及其關鍵工藝技術
瑞士Microdiamant研發部門負責人Christian JENTGENS帶來了題為多晶金剛石微納米粉在SiC晶片加工中的應用及其關鍵工藝技術的主題報告，報告表示，碳化硅業務的主要目標是提高效率，并介紹了SiC晶圓加工的個性化解決方案，從廠商角度分享了碳化硅晶圓最重要的特征，如何判斷產品品質優劣以及關鍵的流程步驟等內容。
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limit2020-02-01 16:23

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