九峰山實驗室近日在磷化銦（InP）材料領域取得重要技術突破，成功開發出6英寸磷化銦（InP）基PIN結構探測器和FP結構激光器的外延生長工藝，關鍵性能指標達到國際領先水平。這一成果也是國內首次在大尺寸磷化銦材料制備領域實現從核心裝備到關鍵材料的國產化協同應用，為光電子器件產業化發展提供重要支撐。

九峰山實驗室6英寸磷化銦PIN探測器外延片作為光通信、量子計算等領域的核心材料，磷化銦（InP）材料的產業化應用長期面臨大尺寸制備的技術瓶頸，業界主流停留在3英寸工藝階段，高昂的成本使其無法滿足下游產業應用的爆發式增長。

九峰山實驗室依托國產MOCVD設備與InP襯底技術，突破大尺寸外延均勻性控制難題，首次開發出6英寸磷化銦（InP）基PIN結構探測器和FP結構激光器的外延生長工藝， 關鍵性能指標達到國際領先水平，為實現6英寸磷化銦（InP）光芯片的規?；苽浯蛳禄A。

材料性能：

• FP激光器量子阱PL發光波長片內標準差<1.5nm，組分與厚度均勻性<1.5%

•    PIN探測器材料本底濃度<4×10¹?cm?³，遷移率>11000 cm²/V·s

九峰山實驗室外延工藝團隊

在全球光電子產業高速發展的背景下，光通信、激光雷達、太赫茲通信等領域對磷化銦（InP）的需求呈現爆發式增長。據Yole預測，磷化銦（InP）光電子市場規模2027年將達56億美元，年復合增長率（CAGR）達14%。6英寸磷化銦（InP）工藝的突破，有望推動國產光芯片成本降至3英寸工藝的60%-70%，有助于增強國產光芯片市場競爭力。九峰山實驗室本次聯合國內供應鏈實現全鏈路突破，對促進我國化合物半導體產業鏈協同發展有著重要影響，也為產業鏈自主可控奠定了基礎。例如，九峰山實驗室本次技術突破中6英寸磷化銦（InP）襯底合作方云南鑫耀的6英寸高品質磷化銦單晶片產業化關鍵技術已實現突破，量產在即。未來，實驗室將持續優化6英寸InP外延平臺，推動下游產品驗證，提升產業鏈自主可控能力，推動我國光電子產業升級。（來源：九峰山實驗室）