2025年4月29日，由北京華峰測控技術股份有限公司牽頭起草的3項SiC MOSFET技術標準已完成征求意見稿的編制，正式面向聯盟成員單位征求意見，為期一個月。根據聯盟標準化工作管理辦法，2025年4月29日起開始征求意見，截止日期2025年5月29日。 

征求意見稿已經由秘書處郵件發送至聯盟成員單位；非聯盟成員單位如有需要，可發郵件至casas@casa-china.cn。

征求意見標準列表（No.1）

T/CASAS 038—202X《SiC MOSFET非鉗電感開關（UIS）測試方法》 

本文件規定了SiC MOSFET非鉗位電感開關（UIS）的測試方法，包括單脈沖雪崩擊穿能量（EAS）和重復雪崩擊穿能量（EAR）的測試原理、測試流程、數據記錄和處理等內容。 

本文件適用于SiC MOSFET分立器件在FT（Final Test）、CP（Chip Probe）、KGD（Known Good Die）、實驗室研發等階段的UIS測試。對于SiC MOSFET功率模塊，可在將單管封裝成模塊前參照本文件對單管進行測試。

T/CASAS 039—202X《SiC MOSFET單管功率器件短路可靠性測試方法》 

本文件規定了SiC MOSFET單管功率器件短路可靠性的測試方法，包括Ⅰ類、Ⅱ類、Ⅲ類短路的測試原理、測試流程、數據記錄和處理等內容。 

本文件適用于SiC MOSFET單管功率器件在FT（Final Test）、CP（Chip Probe）、KGD（Known Good Die）、實驗室研發等階段的短路可靠性測試。

T/CASAS 040—202X《SiC MOSFET功率模塊短路可靠性測試方法》

本文件規定了SiC MOSFET功率模塊短路可靠性測試方法，包括測試原理、測試流程、數據記錄和處理等內容。 

本文件適用于SiC MOSFET功率模塊在FT（Final Test）、實驗室研發等階段的短路可靠性測試。 

（來源：第三代半導體產業技術創新戰略聯盟）