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  • 中山大學王鋼:基于金
    基于金屬有機化學氣相沉積的-Ga2O3薄膜異質外延及其在場效應晶體管中的應用王鋼*,陳偉驅,羅浩勛,陳梓敏,盧星,裴艷麗中山大學
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    guansheng2022-09-01 16:13
  • 廈門大學龍浩:氧空位
    氧空位在異質外延-Ga2O3薄膜MSM型光電探測器中的影響許銳,馬曉翠,梅洋,應磊瑩,張保平*,龍浩*廈門大學
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    guansheng2022-09-01 16:08
  • Jiaying Shen: Band o
    Band offsets and solar-blind photoresponse of -Ga2O3/4H-SiC heterojunctionAuthor: Jiaying Shen, Mingfeng Gan, Qingyi Zhang, Yangyong Tao, Zhenping Wu, Weihua TangInstitute: State Key Laboratory of Information Photonics and Optical CommunicationsSchool of Science, Beijing University of Posts and Telecommunications
    16300
    limit2022-01-07 15:01
  • 張文輝:升華法生長β
    《升華法生長相Ga2O3厚膜的研究》作者:張文輝,張赫之,梁紅偉單位:大連理工大學微電子學院
    10900
    limit2022-01-07 15:00
  • Jiaxiang Chen: Elect
    Electrical Characterization of Vertical -Ga2O3 SBD w/o epi-layerJiaxiang Chen, Haolan Qu, Xing Lu, Xinbo ZouSchool of Information Science and Technology, ShanghaiTech University, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University
    16000
    limit2022-01-07 14:19
  • 徐童齡:基于NiO/β-
    《基于NiO/- Ga2O3異質pn結的低漏電JBS二極管研究》作者:徐童齡,羅浩勛,鄧郁馨,陳梓敏,裴艷麗,盧星,王鋼單位:中山大學電子與信息工程學院光電材料與技術國家重點實驗室
    6600
    limit2022-01-07 13:50
  • 鄭偉:4H-SiC、GaN和
    《4H-SiC、GaN和-Ga2O3巴利加優值的巨量退化》作者:程璐,鄭偉單位:中山大學材料學院,國家光電材料與技術國家重點實驗室
    29300
    limit2022-01-07 13:32
  • 張濤:MOCVD異質外延G
    《MOCVD異質外延Ga2O3薄膜及其相變的研究》作者:張濤,胡志國,程倩,馮倩,張雅超,張進成單位:西安電子科技大學微電子學院
    7900
    limit2022-01-06 11:39
  • 李悅文:亞穩相正交結
    《亞穩相正交結構-Ga2O3薄膜的異質外延研究》作者:李悅文,修向前,許萬里,施佳城,朱宇霞,張榮,鄭有炓單位:南京大學電子科學與工程學院
    22000
    limit2022-01-06 11:09
  • 劉增:Strategies of
    Strategies of Enhancing Self-powered Performances in Ga2O3-based Heterojunction Photodetectors作者:李山,晏祖勇,劉增,唐為華單位:北京郵電大學理學院,南京郵電大學電子與光學工程學院、微電子學院
    20000
    limit2022-01-05 17:14
  • 【極智課堂】中國科學
    深紫外線檢測技術具有重要的應用,例如紫外線成像,紫外線/紅外線雙重引導,預警系統,紫外線通訊,紫外線干擾等。中國科學技術
    235100
    limit2021-04-26 16:22
  • 中國科學院微電子研究
    中國科學院微電子研究所研究員龍世兵分享了基于(100) -Ga2O3 單晶的肖特基二極管和MOS電容的研究成果。基于型氧化鎵所生產的一些器件在能源使用中發揮著重要的作用。能源使用的安全性是一個重要問題,在自然能源不斷減少,價格不斷上升的背景下,我們需要找到一個更加有效的方式來利用能源。當前在高電壓應用領域,包括高鐵和智能電網等,硅仍然是主導材料,但有一定局限性,比如禁帶比較窄等。與寬禁帶材料相比,有弱勢的地方。
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    limit2018-02-01 10:49
  • 極智報告|山東大學教
    山東大學教授陶緒堂做了晶體生長和β-Ga2O3表征的最新進展的報告,分享了在氧化鎵晶體生長方面的研究實踐及成果。
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    limit2025-04-06 14:39
  • 極智報告|日本Novel C
    日本Novel Crystal Technology公司總裁Akito KURAMATA做了用于功率器件的β-Ga2O3晶體塊體和外延生長的報告,分享了其最新研究成果。
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    limit2025-04-06 14:39
  • 極智報告|廣西大學杰
    廣西大學杰出教授、臺灣大學榮退教授馮哲川分享了關于Ga2O3薄膜的光學和結構特性的研究成果。馮哲川從事于第三代半導體研發已二三十年, 至今編輯出版了半導體及顯微結構,多孔硅,碳化硅,III族氮化物(3本),氧化鋅,固態照明及LED 領域的11-本英文專著,
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    limit2025-04-06 14:39
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