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對話鎵仁半導體江繼偉
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對話鎵仁半導體江繼偉
【芯友薈】對話鎵仁半導體江繼偉博士:探究中國8英寸氧化鎵制備技術新突破,展望氧化鎵產業化新未來!SEMICON China 2025專訪精彩薈萃
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guansheng
2025-03-28 16:48
中電科第十三所高級工
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中電科第十三所高級工
6英寸復合襯底上厚GaN外延生長研究Growth of Thick GaN Epilayers on 150mm Engineered Substrate韓穎中國電子科技集團第十三所高級工程師HAN YingSenior Engineer of Hebei Semiconductor Research Institute
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IFWS
2025-01-09 14:27
中電科13所高楠:MOCV
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中電科13所高楠:MOCV
MOCVD生長高質量6英寸SiC上GaN HEMT材料高楠,房玉龍*,尹甲運,張志榮,王波,李佳,蘆偉立,陳宏泰,牛晨亮中國電子科技集團公司第十三研究所
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guansheng
2022-09-01 13:45
吳亮:PVT法同質外延
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吳亮:PVT法同質外延
《PVT法同質外延生長高質量2英寸Al極性AlN單晶研究》作者:李哲,張剛,雷丹,黃嘉麗,付丹揚,王琦琨,吳亮單位:奧趨光電技術(杭州)有限公司
227
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2022-01-06 11:02
【視頻報告 2018】南
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【視頻報告 2018】南
【極智報告】南京大學陳琳:6英寸GaN襯底生長用HVPE反應腔的三維數值模擬
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2021-04-29 12:23
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