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Strategies of Enhancing Self-powered Performances in Ga2O3-based Heterojunction Photodetectors作者：李山，晏祖勇，劉增，唐為華單位：北京郵電大學(xué)理學(xué)院，南京郵電大學(xué)電子與光學(xué)工程學(xué)院、微電子學(xué)院

《超寬禁帶氧化鎵半導(dǎo)體功率電子器件和光電探測(cè)器》作者：龍世兵，徐光偉，趙曉龍，孫海定單位：中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)

人工光培育植物，植物營(yíng)養(yǎng)品質(zhì)的保證是人們非常關(guān)注的方向。華南農(nóng)業(yè)大學(xué)教授劉厚誠(chéng)分享采用UV-A和藍(lán)光處理對(duì)櫻桃番茄果實(shí)營(yíng)養(yǎng)品

日本國(guó)立佐賀大學(xué)同步輻射光應(yīng)用研究中心主任、電氣電子系教授郭其新帶來(lái)了題為超寬禁帶氧化半導(dǎo)體的生長(zhǎng)和特性的主題報(bào)告。郭其新主要從事半導(dǎo)體材料制備與表征，同步輻射光應(yīng)用研究。報(bào)告中主要介紹了Ga2O3等寬禁帶氧化半導(dǎo)體薄膜的生長(zhǎng)和特性。通過(guò)對(duì)于In和Al元素的調(diào)整我們可以調(diào)整Ga2O3或Ga2O3薄膜的能帶寬度。研究制備了Ga2O3:Er/Si LED，其驅(qū)動(dòng)電壓稍微比ZnO:Er/Si或者GaN:Er/Si的要低。同時(shí)，還研究了Eu摻雜的Ga2O3薄膜的