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高功率寬禁帶半導體射頻器件研究進展Research Progress of High Power Wide Band-gap Semiconductor RF Devices張進成西安電子科技大學副校長、教授ZHANG JinchengVice PresidentProfessor of Xidian University

超寬禁帶半導體氧化鎵和氮化鋁特性研究Research on the Characteristics of Ultra-wide Bandgap Semiconductor GaO and AlN張道華深圳平湖實驗室第四代半導體首席科學家、新加坡工程院院士ZHANG DaohuaChief Scientist of Fourth-generation Semiconductors of Shenzhen Pinghu Laboratory, Academician the Academy of Engineering, Singapore

超寬禁帶半導體氧化鎵及金剛石的晶體生長模擬研究Modeling of ultrawide Bandgap Semiconductor crystal growth for Gallium oxide and Diamond付昊蘇州思體爾軟件科技有限公司副總經理Henry FUVice General Manager of SuZhou STR Software Technology Co., Ltd.

超寬禁帶六方氮化硼二維原子晶體及其光電器件Growth of ultra-wide band-gap two-dimensional hexagonal boron nitride for optoelectronic devices張興旺中國科學院半導體所研究員ZHANG XingwangProfessor of Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences

新型寬禁帶壓電半導體材料-Ga2O3及其在射頻諧振器中的應用-Ga2O3: an Emerging Wide Bandgap Piezoelectric Semiconductor for Application in Radio Frequency Resonators王鋼中山大學佛山研究院院長，中山大學半導體照明材料及器件國家地方聯合工程實驗室主任、教授WANG GangProfessor and Dean of Foshan Institute of Sun Yat-Sen University; Director of the National-Local Joint Engineering Laboratory of Semiconductor

寬禁帶半導體助推電動汽車進程Wide Bandgap Devices Empower Vehicle Electrification李道會--蔚來汽車功率半導體設計團隊負責人、高級總監

基于寬禁帶器件的高頻大功率模組應用Application of high frequency and high power module based on wide band gap device劉正陽上海沛塬電子有限公司市場產品總監Zhengyang LIUShanghai MetaPWR Electronics Co., LTD

中國科學院院士、西安電子科技大學郝躍教授帶來了超寬禁帶半導體器件與材料的若干新進展 的主題報告；中科院外籍院士、中國科學院北京納米能源與系統研究所王中林院士帶來了第三代半導體中的壓電電子學與壓電光電子學的主題報告；廈門大學校長張榮教授介紹了氮化物半導體基 Micro-LED顯示技術新進展；大會主席、中國科學院半導體研究所李晉閩研究員帶來了氮化物深紫外LED光源助力公共衛生安全 的主題報告。幾大精彩主題報告，從技

以氮化鎵、氮化鋁為代表的Ⅲ族氮化物寬禁帶半導體是研制短波長光電子器件和高頻、高功率電子器件的核心材料體系。由于缺少高質量、低成本的同質GaN和AlN襯底，氮化物半導體主要通過異質外延，特別是大失配異質外延來制備。由此導致的高缺陷密度、殘余應力成為當前深紫外發光器件、功率電子器件等氮化物半導體器件發展的主要瓶頸，影響了材料和器件性能的提升。沈波教授在報告中，結合氮化物半導體面臨的大失配外延生長問題、詳細分

一種基于寬禁帶半導體材料的微孔陣列同位素電池張佳辰，韓運成*，王曉彧，何厚軍，任雷，李桃生中國科學院合肥物質科學研究院中國科學技術大學湖北科技學院

基于寬禁帶半導體的深紫外發光與探測器件研究吳峰*，戴江南，陳長清華中科技大學

寬禁帶氧化物半導體日盲紫外探測器及其在大氣臭氧檢測中的應用研究劉可為*，陳星，楊佳霖，韓冬陽，侯其超，申德振中國科學院長春光學精密機械與物理研究所

寬禁帶半導體紫外、極紫外及軟x射線探測器陸海*，張榮，鄭有炓南京大學

促進寬禁帶半導體產業化的關鍵外延技術The key epitaxial technology to promote the industrialization of wide bandgap semiconductors方子文德國愛思強股份有限公司中國區副總經理FANG ZiwenDeputy General Manage，China AIXTRON SE

Ⅲ族氮化物半導體光電子器件的幾個科學問題張榮--廈門大學校長、教授

寬禁帶半導體，助力推動綠色出行和碳中和WBG, Way to Boost Green Mobility and Carbon NeutralityGeorges Andary--博世蘇州汽車部件總經理，博世汽車電子中國區總裁Georges Andary--GM of Bosch Automotive Products (Suzhou) Co., Ltd., Regional President of Bosch Automotive Electronics China

基于寬禁帶半導體量子結構的物理效應與器件應用 張榮 教授 廈門大學

寬禁帶與超寬禁帶半導體電子器件若干新進展 郝躍 院士 西安電子科技大學

《寬禁帶氮化物半導體紫外探測器研究》作者：蔣科，孫曉娟，郭龍，張山麗，陳雨軒，黎大兵單位：中國科學院長春光學精密機械與物理研究所

《寬禁帶半導體微腔polariton玻色-愛因斯坦凝聚特性研究》作者：朱海，陳智陽，鄭湖穎，湯梓熒，王亞琪單位：中山大學