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徐尉宗：具有高可靠感
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徐尉宗：具有高可靠感
《具有高可靠感生能量泄放能力的AlGaN/GaN基功率器件研制》作者：徐尉宗，周峰，任芳芳，陳敦軍，張榮，鄭有炓，陸海單位：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
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limit2022-01-07 11:50
葉建東：氧化鎵基雙極
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葉建東：氧化鎵基雙極
《氧化鎵基雙極型異質(zhì)結(jié)功率器件研究》作者：葉建東，鞏賀賀，周峰，郁鑫鑫，徐尉宗，任芳芳，顧書(shū)林，陸海，張榮，鄭有炓單位：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
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limit2022-01-07 11:41
劉興華：基于牛眼結(jié)構(gòu)
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劉興華：基于牛眼結(jié)構(gòu)
《基于牛眼結(jié)構(gòu)微腔的碳化硅單光子發(fā)射》作者：劉興華，劉澤森，任芳芳，徐尉宗，周東，葉建東，張榮，鄭有炓，陸海單位：南京大學(xué)深圳研究院，南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
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limit2022-01-07 10:24
陳敦軍：高增益AlGaN
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陳敦軍：高增益AlGaN
《高增益AlGaN基異質(zhì)結(jié)紫外光電探測(cè)器及其能帶的調(diào)控》作者：陳敦軍，游海帆，王海萍，蔡青，陸海，張榮，鄭有炓單位：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
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limit2022-01-07 08:59
詹騰：金屬氧化物/AlG
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詹騰：金屬氧化物/AlG
《金屬氧化物/AlGaN/GaN基多異質(zhì)結(jié)深紫外光電探測(cè)器》作者：詹騰，孫劍文，伊?xí)匝啵顣x閩單位：中國(guó)科學(xué)半導(dǎo)體研究所、清華大學(xué)
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limit2022-01-07 08:57
汪丹浩：基于寬禁帶鋁
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汪丹浩：基于寬禁帶鋁
《基于寬禁帶鋁鎵氮納米線的新型紫外光電化學(xué)光探測(cè)器研究進(jìn)展》作者：汪丹浩，孫海定，龍世兵單位：中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院
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limit2022-01-07 08:55
路慧敏：基于智能算法
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路慧敏：基于智能算法
《基于智能算法的深紫外LED效率研究方法》作者：路慧敏，李子正，朱一帆，馮麗雅，于彤軍，王建萍單位：北京科技大學(xué)計(jì)算機(jī)與通信工程學(xué)院，北京大學(xué)物理學(xué)院
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limit2022-01-07 08:51
楚春雙：基于III族氮
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楚春雙：基于III族氮
《基于III族氮化物的深紫外光電轉(zhuǎn)換器件的研究》作者：楚春雙，張勇輝，高元斌，杭升，黃福平，張紫輝單位：河北工業(yè)大學(xué)省部共建電工裝備可靠性與智能化國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，河北工業(yè)大學(xué)電子信息工程學(xué)院
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limit2022-01-07 08:50
周玉剛：基于Ag、Mg金
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周玉剛：基于Ag、Mg金
《基于Ag、Mg金屬的GaN低吸收歐姆接觸研究與光電器件應(yīng)用》作者：周玉剛，潘賽，郭焱，金楠，許朝軍，張榮，鄭有炓單位：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
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limit2022-01-06 11:46
閆建昌：AlGaN基紫外L
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閆建昌：AlGaN基紫外L
《AlGaN基紫外LED材料和量子結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)研究進(jìn)展》作者：閆建昌，郭亞楠，劉志彬，王軍喜，李晉閩單位：中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所，中國(guó)科學(xué)院大學(xué)
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limit2022-01-06 11:41
楊敏：低硅三甲基鋁產(chǎn)
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楊敏：低硅三甲基鋁產(chǎn)
《低硅三甲基鋁產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)》作者：邢懷勇，朱熠，吉敏坤，楊敏單位：江蘇南大光電材料股份有限公司
32000
limit2022-01-06 10:59
梅洋：GaN基VCSEL技術(shù)
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梅洋：GaN基VCSEL技術(shù)
《GaN基VCSEL技術(shù)進(jìn)展》作者：梅洋，鄭重明，許榮彬，應(yīng)磊瑩，龍浩，鄭志威，張保平單位：廈門(mén)大學(xué)微電子與集成電路系微納光電子研究室
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limit2022-01-06 10:43
孫海定：AlGaN基紫外
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孫海定：AlGaN基紫外
《AlGaN基紫外發(fā)光和新型紫外光電化學(xué)光探測(cè)器研究進(jìn)展》作者：孫海定，龍世兵單位：中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)
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limit2022-01-06 10:30
王蓉：半導(dǎo)體碳化硅材
1180
王蓉：半導(dǎo)體碳化硅材
《半導(dǎo)體碳化硅材料中位錯(cuò)的基本性質(zhì)研究》作者王蓉，李佳君，羅昊，楊德仁，皮孝東單位：浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心，浙江大學(xué)硅材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室和材料科學(xué)與工程學(xué)院
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limit2022-01-06 10:21
劉清：基于SiC厚膜的
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劉清：基于SiC厚膜的
《基于SiC厚膜的極低漏電高靈敏度室溫軟X射線探測(cè)器》作者：劉清，徐尉宗，羊群思，周東，張榮，鄭有炓，陸海單位：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院，江蘇省光電信息功能材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
10300
limit2022-01-06 10:17
黎明鍇：基于二氧化錫
2370
黎明鍇：基于二氧化錫
《基于二氧化錫的紫外光電探測(cè)器研究》作者：黎明鍇，劉伯涵，肖興林，魏皓然，劉鳳新，李強(qiáng)，張興業(yè)，陳粵，何云斌單位：湖北大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院
23700
limit2022-01-05 17:27
程其進(jìn)：氧化鎵基日盲
2510
程其進(jìn)：氧化鎵基日盲
《氧化鎵基日盲紫外光電探測(cè)器的制備及特性研究》作者：程其進(jìn)，徐翔宇, 陳文山，龔彧亨，陳文澄，張洪良單位：廈門(mén)大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院，廈門(mén)大學(xué)化學(xué)與化學(xué)學(xué)院
25100
limit2022-01-05 17:20
朱昱豪：基于氮化鎵金
2950
朱昱豪：基于氮化鎵金
《基于氮化鎵金屬-絕緣層-半導(dǎo)體高電子遷移率晶體管的單片集成DFF-NAND與DFF-NOR電路》作者：朱昱豪，崔苗，李昂，方志成，文輝清，劉雯單位：西交利物浦大學(xué)智能工程學(xué)院
29500
limit2022-01-05 17:11
袁昊：萬(wàn)伏級(jí)4H-SiC基
2190
袁昊：萬(wàn)伏級(jí)4H-SiC基
《萬(wàn)伏級(jí)4H-SiC基IGBT器件設(shè)計(jì)與制備技術(shù)》作者：劉延聰，唐冠南，湯曉燕，袁昊，宋慶文，張玉明單位：西安電子科技大學(xué)，中國(guó)人民解放軍空軍工程大學(xué)
21900
limit2022-01-05 17:00
馬騁：硅基氮化鎵外延
2520
馬騁：硅基氮化鎵外延
《硅基氮化鎵外延材料射頻損耗產(chǎn)生機(jī)理及其抑制方法》作者：馬騁，楊學(xué)林，劉丹爍，蔡子?xùn)|，陳正昊，沈波單位：北京大學(xué)物理學(xué)院人工微結(jié)構(gòu)與介觀物理國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
25200
limit2022-01-05 16:53

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