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北京大學(xué)理學(xué)部副主任
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北京大學(xué)理學(xué)部副主任
基于大失配外延的氮化物第三代半導(dǎo)體材料與器件Nitride Semiconductor Materials and Devices Based on Large Mismatch Epitaxy沈波北京大學(xué)理學(xué)部副主任、特聘教授SHEN Bo Deputy Deanand Distinguished Professorof Facultyof Science, Peking University
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IFWS2025-01-09 15:42
北京大學(xué)第三醫(yī)院婦科
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北京大學(xué)第三醫(yī)院婦科
LED光療在女性生殖健康中的臨床應(yīng)用Clinical Applications of LED Phototherapy in Women's Reproductive Health吳章鑫北京大學(xué)第三醫(yī)院婦科主治醫(yī)師WU ZhangxinGynecologist of Peking University Third Hospital
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SSLCHINA2025-01-09 14:49
中國科學(xué)院北京納米能
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中國科學(xué)院北京納米能
AlGaN/GaN HEMT能帶工程和界面調(diào)制AlGaN/GaN HEMT energy band engineering and interface modulation胡衛(wèi)國中國科學(xué)院北京納米能源與系統(tǒng)研究所研究員HU WeiguoProfessor of Beijing Institute of Nanoenergy and Systems, Chinese Academy of Sciences
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guansheng2023-05-22 15:02
北京理工大學(xué)教授鐘海
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北京理工大學(xué)教授鐘海
藍(lán)光量子點電致發(fā)光的若干基礎(chǔ)問題研究Recent Progress on the Fundemental Research of Blue QD-LEDs鐘海政北京理工大學(xué)教授ZHONG Haizheng Professor of Beijing Institute of Technology
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guansheng2023-05-22 14:12
北京大學(xué)教授、北大東
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北京大學(xué)教授、北大東
藍(lán)寶石襯底InGaN基紅色LED及MicroLEDInGaN based red LEDs and MicroLEDs on sapphire substrate王新強北京大學(xué)教授、北大東莞光電研究院院長WANG XinqiangDean of Dongguan Institute of Opto-electronics, Peking University
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guansheng2023-05-22 13:59
北京大學(xué)聶靖昕：Addi
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北京大學(xué)聶靖昕：Addi
Additional Light Components Decrease the Light Damage on Rats Retina聶靖昕北京大學(xué)NIE JingxiPeking University
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guansheng2023-05-22 11:51
北京大學(xué)工學(xué)院特聘研
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北京大學(xué)工學(xué)院特聘研
超高熱導(dǎo)率立方砷化硼和氮化硼晶體Cubic boron arsenide and boron nitride crystals with ultrahigh thermal conductivity 宋柏北京大學(xué)工學(xué)院特聘研究員SONG BaiProfessor of Peking University
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guansheng2023-05-19 14:21
北京大學(xué)第六醫(yī)院黨衛(wèi)
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北京大學(xué)第六醫(yī)院黨衛(wèi)
光照治療提高抑郁發(fā)作患者的腦功能light therapy improves brain functioning of patients with depression黨衛(wèi)民北京大學(xué)第六醫(yī)院（北京大學(xué)精神衛(wèi)生研究所）精神科醫(yī)生、心理治療師DANG WeiminPsychiatristPsychotherapist Peking University Sixth Hospital (Peking University Institute of Mental Health)
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guansheng2023-05-19 09:23
北京衛(wèi)星制造廠有限公
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北京衛(wèi)星制造廠有限公
GaN/SiC功率器件在航天電源的應(yīng)用前景Application prospect of GaN/SiC power devices in aerospace power supply萬成安北京衛(wèi)星制造廠有限公司領(lǐng)域總師WAN Chengan Field Chief Engineer of Beijing Satellite Manufacturing Factory Co., Ltd
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guansheng2023-05-19 09:08
北京大學(xué)副教授許福軍
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北京大學(xué)副教授許福軍
AlGaN基低維量子結(jié)構(gòu)外延和電導(dǎo)率調(diào)控研究Study on the epitaxy and conductivity regulation of AlGaN based low dimensional quantum structures許福軍北京大學(xué)物理學(xué)院副教授Xu Fujun - Associate Professor, Peking University
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guansheng2023-05-19 08:51
中國科學(xué)院北京納米能
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中國科學(xué)院北京納米能
寬禁帶材料具有非中心對稱的晶體結(jié)構(gòu)，因而表現(xiàn)出顯著的壓電特性，長期以來這些材料中壓電極化電荷和半導(dǎo)體特性的耦合過程被忽略。近年來對于壓電電子學(xué)和壓電光電子學(xué)的基礎(chǔ)及應(yīng)用研究取得了快速地發(fā)展。多種功能材料中的壓電電子學(xué)和壓電光電子學(xué)的基本效應(yīng)得到了系統(tǒng)深入地研究，相關(guān)的理論體系得以建立，諸多壓電電子學(xué)和壓電光電子學(xué)器件也被設(shè)計研發(fā)。會上，王中林院士帶來了壓電學(xué)理論與研究成果的分享，報告結(jié)合具體的數(shù)據(jù)
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guansheng2022-09-10 15:42
北京大學(xué)沈波教授：氮
18120
北京大學(xué)沈波教授：氮
以氮化鎵、氮化鋁為代表的Ⅲ族氮化物寬禁帶半導(dǎo)體是研制短波長光電子器件和高頻、高功率電子器件的核心材料體系。由于缺少高質(zhì)量、低成本的同質(zhì)GaN和AlN襯底，氮化物半導(dǎo)體主要通過異質(zhì)外延，特別是大失配異質(zhì)外延來制備。由此導(dǎo)致的高缺陷密度、殘余應(yīng)力成為當(dāng)前深紫外發(fā)光器件、功率電子器件等氮化物半導(dǎo)體器件發(fā)展的主要瓶頸，影響了材料和器件性能的提升。沈波教授在報告中，結(jié)合氮化物半導(dǎo)體面臨的大失配外延生長問題、詳細(xì)分
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guansheng2022-09-09 15:47
北京大學(xué)劉軒：基于結(jié)
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北京大學(xué)劉軒：基于結(jié)
基于結(jié)終端擴(kuò)展的kV級硅基GaN準(zhǔn)垂直結(jié)構(gòu)pn二極管劉軒，王茂俊*，魏進(jìn)，文正，解冰，郝一龍，楊學(xué)林，沈波北京大學(xué)
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guansheng2022-09-01 13:46
中科院北京納米所胡衛(wèi)
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中科院北京納米所胡衛(wèi)
壓電能帶工程和柔性AlGaN/GaN HEMT化麒麟，胡衛(wèi)國*中國科學(xué)院北京納米能源與系統(tǒng)研究所
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guansheng2022-09-01 12:22
北京大學(xué)孫棟: 基于拓
4220
北京大學(xué)孫棟: 基于拓
基于拓?fù)浒虢饘俚母咝阅芄怆娞綔y孫棟北京大學(xué)
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guansheng2022-09-01 12:04
北京大學(xué)陳兆營：面向
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北京大學(xué)陳兆營：面向
面向氮化物全彩顯示的InGaN基紅光Mini/Micro-LED研究陳兆營，盛博文，劉放，李鐸，袁澤興，葛惟昆，沈波，梁文驥，趙春雷，閆龍，Jason Hoo，郭世平，王新強*北京大學(xué)
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guansheng2022-09-01 11:23
許福軍：AlGaN基深紫
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許福軍：AlGaN基深紫
《AlGaN基深紫外LED材料和器件研究》作者：許福軍，沈波，單位：北京大學(xué)物理學(xué)院
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limit2022-01-05 09:53
【視頻報告 2018】北
8620
【視頻報告 2018】北
北京大學(xué)陳志忠教授在《Operation behavior under extremely high injection level for GaN-based micron LED》報告中指出，我們制作不同直徑微柱LEDs不同波長和不同的基質(zhì)。測量了電致發(fā)光(EL)譜和電流-電壓(I-V)曲線。高飽和電流密度達(dá)到300 kA / cm2 20m紫外線導(dǎo)致氮化鎵襯底。效率為LEDs下垂也大大提高。采用橫光軟件模擬高注入水平下的輸運和重組過程。綜合量子漂移-擴(kuò)散模型考慮了多體效應(yīng)。并介紹了超高注入機理。
86200
limit2021-04-29 12:29
【視頻報告 2018】北
6540
【視頻報告 2018】北
垂直氮化鎵器件，尤其是硅襯底上，因其低成本襯底而引起了人們對大功率應(yīng)用的廣泛關(guān)注。但其性能仍低于氮化鎵襯底上的垂直氮化鎵器件。關(guān)鍵問題是在硅襯底上實現(xiàn)低位錯密度和連續(xù)厚氮化鎵層具有挑戰(zhàn)性。會上，北京大學(xué)馮玉霞博士結(jié)合具體的研究實踐，分享了Si襯底上GaN基外延材料生長及雜質(zhì)缺陷研究的成果，首次提供了在C摻雜半絕緣氮化鎵中取代C原子占據(jù)N位點的明確證據(jù)。
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limit2021-04-29 12:05
【視頻報告】北京工業(yè)
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【視頻報告】北京工業(yè)
北京工業(yè)大學(xué)教授郭偉玲帶來了高壓LED及其可靠性研究的報告，介紹了當(dāng)前高壓LED及其可靠性的最新研究成果。
322900
limit2020-02-03 15:41

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