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所有的技術都有一個發展過程，尤其對于電網來說，它要求的高電壓大電流，它的可靠性要求三十年甚至四十年。國家電網全球能源互聯網研究院功率半導體研究所副總工程師楊霏介紹了碳化硅材料和電力器件在電網當中的應用。其中對電網整體對材料的要求，材料部分的需求和裝備的國內國際進展進行了細致介紹。他表示，預期到2025年左右，十千伏十安的全控型的模塊應當是可以達到應用水平，這樣的話就是直流輸電的話，靈活直流輸電可能要突破五百千伏到八百千伏的水平，到2050年碳化硅三十千伏五千的應該可以達到應用水平，這樣來說對電網的預期是整

德國愛思強股份有限公司電力電子器件副總裁Frank WISCHMEYER先生分享了，就高生產率的碳化硅同質外延的程序在大容量生產反應器當中的表現主題報告。他表示，用于高產量生產的高增長率SiC同質外延工藝生長的大容量生產反應器，它是在于每小時二十五微米，更好地，更快速地長外延材料，那么也是在生產領域對于生產廠家來說是一個好事，那么同時它這個結果在之間出的效果，尤其是在一千二百伏元器件體現出來。預計2018年這種全面的自動化技術的使用，會使得我們整個產業會有大量的一個客戶量的增長。

該視頻為：日本大阪大學助理教授CHEN Chuantong主講的《SiC功率芯片貼片模組低應力連接技術》報告。為SiC芯片的鍵合，研究了一種燒結微孔和鎢(W)薄膜的夾層結構。芯片粘連層被設計為微孔Ag/鎢/微孔Ag以便增加粘連層厚度，從而實現低應力的SiC功率模塊。Ag膏的厚度為0.1mm，而鎢的厚度分別為0.1mm和0.5mm。粘連層剪切強度高達60Mpa，1000次熱循環（-50-250 ℃）后仍然大于30MPa。此燒結技術最有希望應用于高溫工作的低應力的SiC功率模塊。 第三代半導體材料主要包

　　濟南力冠電子科技有限公司于2013年投資成立，是山東省一家集開發、生產、銷售為一體的專業廠家，產品廣泛應用于大規模集成電路、電力電子器件、分立器件、光電子器件、MEMS、IGBT和太陽能電池、LED芯片生產設備, 新材料設備，晶體生長設備等領域。公司主要產品有：半導體技術專用工藝設備，電子元器件專用工藝設備，集成電路工藝設備，太陽能電池片專用工藝設備，LED芯片工藝設備，砷化鎵工藝設備，納米材料工藝設備，磁性材料工藝設備，航空航天及國家軍工單位專用的工藝設備，產品種類多達兩百多個。產品大多應用到許多科

泰科天潤半導體科技（北京）有限公司（以下簡稱“泰科天潤”）是中國碳化硅（SiC）功率器件產業化的倡導者之一，致力于中國半導體功率器件制造產業的發展，并向全球功率器件消費者提供優質的半導體功率器件產品和專業服務。 作為國內唯一一家碳化硅研發生產和平臺服務型公司，泰科天潤目前在北京已建成國內第一條完整的4～6寸碳化硅器件量產線，可在SiC外延上實現半導體功率器件的制造工藝。 泰科天潤的產品線涉及基礎核心技術產品、碳化硅成型產品以及多套行業解決方案。公司基礎核心產品以碳化硅肖特基二極管為代表，其中6

荷蘭代爾夫特理工大學教授、IEEE電力電子協會主席Braham FERREIRA在“未來寬禁帶電力電子技術的發展”報告時表示，開幕式上曹部長說到2030年巨大的戰略和規劃，同時我們有非常卓越的一些技術性的演講，但這些演講都是關于技術方面的，我們能做什么？如

美國Wolfspeed 電力設備研究科學家Jon ZHANG教授帶來“碳化硅功率器件的現狀與展望”主題報告。Jon ZHANG教授表示，功率半導體器件是電力電子系統的重要組成部分，其決定了能量調節系統的效率、尺寸和成本。功率器件的進步革新了電力電子系統。針對不同的應用，如今的商業市場提供了廣泛的電子器件。在所有類型的電力器件中，IGBTs和FRDs是目前是分立器件和功率模塊中最常用的組件。盡管有這些優勢，Si 功率器件正在接近他們的性能極限。

軟通動力信息技術（集團）有限公司副總裁、邊緣計算產業聯盟副秘書長曹曉兵做了題為“智慧路燈，智慧城市的新入口”的報告，介紹了當前中國智慧城市的發展現狀、發展階段，并分享了對智慧路燈發展應用的思考。 智慧城市建設是轉變經濟增長模式，拉動內需等的重要手段，目前，中國幾乎所有副省級以上的城市以及近一半的縣級城市納入智慧城市建設的范圍。預計“十三五”期間，將有80%的城市開展智慧城市建設，總投資將突破萬億元，具有非常大的市場空間。