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中國科學院半導體研究
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中國科學院半導體研究
當前，人們對于綠色、環保、安全的重視度在不斷的提高，隨著全球化加速發展，公共衛生風險對人口流動和經濟活動造成前所未有的限制，防范和化解重大疫情和突發公共衛生風險的重要性不言而喻。基于第三代半導體氮化鎵材料的紫外LED光源具有節能環保、壽命長、開啟速度快、輻射強度可控、光譜可定制等優勢，成為維護公共衛生安全的重要力量。紫外LED是半導體光電產業發展的新藍海，雙碳戰略也給包括紫外LED產業在內的綠色環保節能產
211100
guansheng2022-09-10 15:45
中國科學院北京納米能
20150
中國科學院北京納米能
寬禁帶材料具有非中心對稱的晶體結構，因而表現出顯著的壓電特性，長期以來這些材料中壓電極化電荷和半導體特性的耦合過程被忽略。近年來對于壓電電子學和壓電光電子學的基礎及應用研究取得了快速地發展。多種功能材料中的壓電電子學和壓電光電子學的基本效應得到了系統深入地研究，相關的理論體系得以建立，諸多壓電電子學和壓電光電子學器件也被設計研發。會上，王中林院士帶來了壓電學理論與研究成果的分享，報告結合具體的數據
201500
guansheng2022-09-10 15:42
中國科學院蘇州納米技
12780
中國科學院蘇州納米技
常見的氮化鎵器件為在異質襯底上長氮化鎵外延層制作成半導體器件。但由于使用的是異質襯底，材料之間存在著晶格失配與熱失配導致外延材料位錯密度比較高，阻礙了相關器件性能的提升及其穩定性。采用氮化鎵單晶襯底實現同質外延是提高氮化鎵外延層晶體質量進而提高氮化鎵器件的主要途徑。劉宗亮博士在報告中結合GaN材料生長制備的主要方法及挑戰，GaN單晶制備的主要方法與特點以及國際上GaN單晶生長研究進展等，分享了GaN單晶襯底生
127800
guansheng2022-09-09 15:53
山東大學徐現剛教授：
22050
山東大學徐現剛教授：
半導體激光器的理論和實踐都取得巨大成果。近年來,GaAs基大功率半導體激光器憑其優勢，在眾多領域得到廣泛應用。但是GaAs基大功率半導體激光器仍面臨著功率不足、發熱量大及光束質量差的問題。光電性能差是限制其應用的關鍵問題，如何進一步提高激光器的光電性能是半導體激光器面臨的挑戰。朱振博士在報告中，詳細分享了GaAs半導體激光器關鍵技術及最新研究進展，報告指出基于GaAs襯底的6x x（635-690），8 x x（780-880），9 x x
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guansheng2022-09-09 15:50
南京大學葉建東：氧化
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南京大學葉建東：氧化
氧化鎵基雙極型異質結功率器件研究葉建東*，鞏賀賀，周峰，郁鑫鑫，徐尉宗，任芳芳，顧書林，陸海，張榮，鄭有炓南京大學
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guansheng2022-09-02 16:02
湖北大學陳興馳：基于
7510
湖北大學陳興馳：基于
基于n-ZnO/n-Ga2O3/p-GaN異質結與pn結耦合增強型自驅動紫外探測器研究陳興馳，陳劍，樊啟賢，毛佳興，張忠輝，許雅俊，盧寅梅，何云斌*湖北大學
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guansheng2022-09-01 16:22
南京大學汪正鵬：NiO/
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南京大學汪正鵬：NiO/
NiO/-Ga2O3p+-n異質結二極管深能級缺陷研究汪正鵬，鞏賀賀，郁鑫鑫，葉建東*，顧書林，任芳芳，張榮，鄭有炓南京大學
64200
guansheng2022-09-01 16:20
大連理工大學張赫之：
7800
大連理工大學張赫之：
兩步法在藍寶石襯底上生長高質量-Ga2O3厚膜的研究張赫之，張嵩，董增印，張文輝，程麗媛，梁紅偉*大連理工大學中國電子科技集團公司第四十六研究所
78000
guansheng2022-09-01 16:19
山東大學賈志泰：大尺
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山東大學賈志泰：大尺
大尺寸高質量氧化鎵單晶生長及性能研究穆文祥，李陽，賈志泰*，陶緒堂山東大學
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guansheng2022-09-01 16:18
湖北大學何云斌：Ga2O
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湖北大學何云斌：Ga2O
Ga2O3三元合金設計及其日盲紫外光電探測器研究王其樂，瞿秋琳，陳劍，黎明鍇，盧寅梅，何云斌*湖北大學
97700
guansheng2022-09-01 16:16
中科院合肥物質科學研
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中科院合肥物質科學研
一種基于寬禁帶半導體材料的微孔陣列同位素電池張佳辰，韓運成*，王曉彧，何厚軍，任雷，李桃生中國科學院合肥物質科學研究院中國科學技術大學湖北科技學院
54300
guansheng2022-09-01 16:11
南京大學鞏賀賀：氧化
7550
南京大學鞏賀賀：氧化
氧化鎵肖特基二極管熱管理研究鞏賀賀，周峰，葉建東*，陸海，顧書林，張榮，鄭有炓南京大學
75500
guansheng2022-09-01 16:10
浙江大學楊樹：基于界
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浙江大學楊樹：基于界
基于界面調控的垂直型GaN功率二極管研究楊樹浙江大學
67200
guansheng2022-09-01 14:37
中科院微電子所黃森：
5630
中科院微電子所黃森：
全GaN功率器件與集成研究黃森*，蔣其夢，王鑫華，魏珂，劉新宇中國科學院微電子研究所
56300
guansheng2022-09-01 13:43
中科院蘇州納米所孫錢
5550
中科院蘇州納米所孫錢
硅基GaN電子器件研究進展孫錢中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
55500
guansheng2022-09-01 13:42
中國科學院微電子所金
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中國科學院微電子所金
面向全GaN集成的高性能GaN基增強型p-FET器件研究金昊，蔣其夢*，黃森*，王鑫華，王英杰，戴心玥，樊捷，魏珂，劉新宇中國科學院微電子研究所
56900
guansheng2022-09-01 12:49
南京大學陳鵬：GaN基
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南京大學陳鵬：GaN基
GaN基肖特基功率器件研究新進展陳鵬*，徐儒，劉先程，梁子彤，殷鑫燕，謝自力，修向前，陳敦軍，劉斌，趙紅，張榮，鄭有炓南京大學
54400
guansheng2022-09-01 12:38
中科院寧波材料所郭煒
8550
中科院寧波材料所郭煒
基于極化調控的GaN HEMT隔離特性研究戴貽鈞，郭煒*，陳荔，李曉航，葉繼春中國科學院寧波材料技術與工程研究所
85500
guansheng2022-09-01 12:27
西安電子科技大學張進
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西安電子科技大學張進
勢壘可調、位錯免疫凹槽陽極氮化鎵肖特基二極管研究張進成*，黨魁，周弘，張濤，趙勝雷，毛維，郝躍西安電子科技大學
64600
guansheng2022-09-01 12:20
深圳大學范澤龍:基于
5560
深圳大學范澤龍:基于
基于帶狀氮化鋁晶體真空紫外探測器研究范澤龍，武紅磊，孫振華深圳大學
55600
guansheng2022-09-01 12:17

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