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寬禁帶材料具有非中心對稱的晶體結構，因而表現出顯著的壓電特性，長期以來這些材料中壓電極化電荷和半導體特性的耦合過程被忽略。近年來對于壓電電子學和壓電光電子學的基礎及應用研究取得了快速地發展。多種功能材料中的壓電電子學和壓電光電子學的基本效應得到了系統深入地研究，相關的理論體系得以建立，諸多壓電電子學和壓電光電子學器件也被設計研發。會上，王中林院士帶來了壓電學理論與研究成果的分享，報告結合具體的數據

以氮化鎵、氮化鋁為代表的Ⅲ族氮化物寬禁帶半導體是研制短波長光電子器件和高頻、高功率電子器件的核心材料體系。由于缺少高質量、低成本的同質GaN和AlN襯底，氮化物半導體主要通過異質外延，特別是大失配異質外延來制備。由此導致的高缺陷密度、殘余應力成為當前深紫外發光器件、功率電子器件等氮化物半導體器件發展的主要瓶頸，影響了材料和器件性能的提升。沈波教授在報告中，結合氮化物半導體面臨的大失配外延生長問題、詳細分

基于結終端擴展的kV級硅基GaN準垂直結構pn二極管劉軒，王茂俊*，魏進，文正，解冰，郝一龍，楊學林，沈波北京大學

壓電能帶工程和柔性AlGaN/GaN HEMT化麒麟，胡衛國*中國科學院北京納米能源與系統研究所

基于拓撲半金屬的高性能光電探測孫棟北京大學

面向氮化物全彩顯示的InGaN基紅光Mini/Micro-LED研究陳兆營，盛博文，劉放，李鐸，袁澤興，葛惟昆，沈波，梁文驥，趙春雷，閆龍，Jason Hoo，郭世平，王新強*北京大學