徐現剛：碳化硅單晶襯
5330
徐科：氮化鎵單晶材料
3710
蔣科：寬禁帶氮化物半
1140
朱海：寬禁帶半導體微
920
陸文強：一維ZnGa2O4
460
張文輝：升華法生長β
1090
陳凱：基于MPCVD法異
2190
穆文祥：氧化鎵單晶生
780
湯瀟：全溶液法沉積柔
1840
張逸韻：高溫氣氛退火
890
唐寧：氮化鎵量子阱中
1750
徐童齡：基于NiO/β-
700
張亞民：基于脈沖信號
840
劉紅輝：光照下AlGaN/
1700
陳鵬：GaN基肖特基功
3130
吳帆正樹：碳化硅溝槽
1260
葉建東：氧化鎵基雙極
3690
李忠輝：新型Al(Ga)N/
2130
李天義：SiC紫外單光
1690
楊偉鋒：碳化硅(4H-Si
3590
