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北京大學(xué)理學(xué)部副主任
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北京大學(xué)理學(xué)部副主任
基于大失配外延的氮化物第三代半導(dǎo)體材料與器件Nitride Semiconductor Materials and Devices Based on Large Mismatch Epitaxy沈波北京大學(xué)理學(xué)部副主任、特聘教授SHEN Bo Deputy Deanand Distinguished Professorof Facultyof Science, Peking University
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IFWS2025-01-09 15:42
辰華半導(dǎo)體郭炳磊：用
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辰華半導(dǎo)體郭炳磊：用
用于氮化鎵異質(zhì)外延的高溫PVD氮化鋁緩沖層技術(shù)High Temperature PVD AlN e Buffer Layer Technology for GaN Heteroepitaxy
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IFWS2025-01-09 14:28
日本NTT基礎(chǔ)研究實驗
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日本NTT基礎(chǔ)研究實驗
氮化鋁基半導(dǎo)體材料及器件的最新進展Recent Progress on AlN-based Semiconductor Materials and Devices谷保芳孝日本NTT基礎(chǔ)研究實驗室負責(zé)人、資深杰出研究員Taniyasu YOSHITAKAGroup leader and Senior Distinguished Researcher of NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation
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IFWS2025-01-09 14:25
中國科學(xué)院蘇州納米所
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中國科學(xué)院蘇州納米所
氨熱法氮化鎵單晶生長研究進展及面臨的挑戰(zhàn)Progress and Challenges in Bulk GaN Crystal Growth by Ammonothermal Method任國強中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所、研究員REN GuoqiangProfessorof Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics (SINANO), Chinese Academy of Sciences
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IFWS2025-01-09 14:24
中電科四十六所新材料
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中電科四十六所新材料
氮化鋁單晶材料研究進展與應(yīng)用展望Research Progress and Application Prospect of AlN Single Crystal Materials程紅娟中國電子科技集團第四十六所新材料研發(fā)中心副主任CHENG HongjuanDeputy Director of New Materials Research and Development Center of CETC 46THInstitute
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IFWS2025-01-09 14:21
思體爾總經(jīng)理LAMBRINA
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思體爾總經(jīng)理LAMBRINA
基于量產(chǎn)的氮化鎵基光電子及功率器件的外延建模Modeling of Production-scale Epitaxy for Optical and Power GaN-based Devices LAMBRINAKIMARIIA蘇州思體爾軟件科技有限公司總經(jīng)理LAMBRINAKI MARIIAGeneral Manager of Suzhou STR Software CO.,Ltd.
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IFWS2025-01-09 14:20
深圳平湖實驗室第四代
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深圳平湖實驗室第四代
超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵和氮化鋁特性研究Research on the Characteristics of Ultra-wide Bandgap Semiconductor GaO and AlN張道華深圳平湖實驗室第四代半導(dǎo)體首席科學(xué)家、新加坡工程院院士ZHANG DaohuaChief Scientist of Fourth-generation Semiconductors of Shenzhen Pinghu Laboratory, Academician the Academy of Engineering, Singapore
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IFWS2025-01-09 14:02
南京理工大學(xué)副教授黃
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南京理工大學(xué)副教授黃
28GHz氮化鎵基時間調(diào)制波束成形系統(tǒng)28GHz GaN based time modulated beamforming system黃同德南京理工大學(xué)副教授HUANG TongdeAssociate Professor of Nanjing University of Science and Technology
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guansheng2023-05-22 15:18
能訊高能半導(dǎo)體副總裁
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能訊高能半導(dǎo)體副總裁
氮化鎵推動5G、射頻能源及其他領(lǐng)域的創(chuàng)新GaN Driving innovation in 5G, RF Energy and beyond裴軼蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司副總裁PEI YiVice President of Dynax Semiconductor, Inc
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guansheng2023-05-22 15:17
美國弗吉尼亞理工大學(xué)
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美國弗吉尼亞理工大學(xué)
中高壓（1-10 kV）氮化鎵功率器件新進展New Progress in Medium and High Voltage (1-10 kV) GaN Power Devices張宇昊美國弗吉尼亞理工大學(xué)助理教授ZHANG Yuhao Assistant Professor, Virginia Tech University
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guansheng2023-05-22 15:01
潤新微電子副總經(jīng)理王
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潤新微電子副總經(jīng)理王
后快充時代的氮化鎵功率器件產(chǎn)業(yè)化GaN Power Devices Beyond Adapter Applications王榮華潤新微電子（大連）有限公司副總經(jīng)理WANG RonghuaVice General Manager of Runxin Microelectronics
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guansheng2023-05-22 15:00
南京郵電大學(xué)博士劉建
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南京郵電大學(xué)博士劉建
氮化鎵功率器件耐壓理論與電場均勻化技術(shù)研究Research on the breakdown theory and electric field homogenization technology of GaN-based Power Devices劉建華南京郵電大學(xué)博士
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guansheng2023-05-22 14:56
英諾賽科產(chǎn)品應(yīng)用主任
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英諾賽科產(chǎn)品應(yīng)用主任
氮化鎵在新能源智能汽車的應(yīng)用探索與實踐Research of InnoGaN in New-energy Intelligent?Vehicle Applications孟無忌英諾賽科產(chǎn)品應(yīng)用主任工程師Eric MENGChief Engineer of Product Application for Innoscience
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guansheng2023-05-22 14:38
甬江實驗室研究員王文
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甬江實驗室研究員王文
異質(zhì)集成氮化鎵功率模塊的量產(chǎn)制造工藝研究A Fabrication Process for Heterogeneous Integrated GaN Power Modules王文博甬江實驗室研究員WANG WenboProfessor of Yongjiang Laboratory (Y-Lab)
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guansheng2023-05-22 14:29
賀利氏電子中國區(qū)研發(fā)
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賀利氏電子中國區(qū)研發(fā)
Condura.ultraTM無銀AMB氮化硅基板---車規(guī)級功率模塊用高性價比解決方案Condura.ultraTM silver free AMB --- cost-effective solution for automotive power module張靖賀利氏電子中國區(qū)研發(fā)總監(jiān)ZHANG JingDirector of Innovation China, Heraeus Electronics
56500
guansheng2023-05-22 13:55
中國科學(xué)院蘇州納米所
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中國科學(xué)院蘇州納米所
氮化鎵基激光器和超輻射管研究進展Progress of GaN based laser diodes and superluminescene diodes劉建平中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所納米器件研究部研究員LIU JianpingProfessor of Nanodevice Research Department of Suzhou Institute of Nanotechnology and Nanobionics, Chinese Academy of Sciences
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guansheng2023-05-22 10:07
中國科學(xué)院半導(dǎo)體所研
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中國科學(xué)院半導(dǎo)體所研
超寬禁帶六方氮化硼二維原子晶體及其光電器件Growth of ultra-wide band-gap two-dimensional hexagonal boron nitride for optoelectronic devices張興旺中國科學(xué)院半導(dǎo)體所研究員ZHANG XingwangProfessor of Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences
127500
guansheng2023-05-19 14:21
北京大學(xué)工學(xué)院特聘研
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北京大學(xué)工學(xué)院特聘研
超高熱導(dǎo)率立方砷化硼和氮化硼晶體Cubic boron arsenide and boron nitride crystals with ultrahigh thermal conductivity 宋柏北京大學(xué)工學(xué)院特聘研究員SONG BaiProfessor of Peking University
134300
guansheng2023-05-19 14:21
鎵敏光電董事長、南京
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鎵敏光電董事長、南京
氮化鎵及碳化硅紫外探測器技術(shù)與產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用陸海鎵敏光電董事長、南京大學(xué)教授LU HaiProfessor of Nanjing University
106400
guansheng2023-05-19 12:02
上海科技大學(xué)信息學(xué)院
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上海科技大學(xué)信息學(xué)院
基于氮化鎵的CRM圖騰柱PFC整流器的無傳感器電流過零檢測技術(shù)王浩宇上海科技大學(xué)信息學(xué)院長聘副教授、研究員WANG HaoyuAssociate Professor of ShanghaiTech University
113300
guansheng2023-05-19 09:09

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