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Yogi Ota: Wide Bandg
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Yogi Ota: Wide Bandg
Wide Bandgap Semiconductor, RD History and Practical Knowledge Prof. Yogi Ota TKK Innovation Laboratory
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limit2022-01-13 09:56
邱宇峰：18 kV SiC IG
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邱宇峰：18 kV SiC IG
《18 kV SiC IGBT 的研制》邱宇峰廈門大學(xué)講座教授國家電網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院
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limit2022-01-13 09:54
李晉閩：深紫外 LED
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李晉閩：深紫外 LED
《深紫外 LED 研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化》李晉閩研究員中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
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limit2022-01-13 09:52
徐現(xiàn)剛：碳化硅單晶襯
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徐現(xiàn)剛：碳化硅單晶襯
《碳化硅單晶襯底的研究進展及發(fā)展趨勢》徐現(xiàn)剛教授山東大學(xué)
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limit2022-01-11 17:24
沈波：高質(zhì)量 AlN 單
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沈波：高質(zhì)量 AlN 單
《高質(zhì)量 AlN 單晶襯底和外延薄膜的制備》沈波教授北京大學(xué)
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limit2022-01-11 17:23
劉紀美：High perform
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劉紀美：High perform
High performance GaN vertical trench gate MOSFETs劉紀美教授香港科技大學(xué)
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limit2022-01-11 17:22
王濤：Selective Epit
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王濤：Selective Epit
Selective Epitaxy: A direct epitaxy approach to achieve a monolithic on-chipintegration of LEDs and HEMTs for micro-display and VLC 王濤教授英國謝菲爾德大學(xué)
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limit2022-01-11 10:01
郭浩中：新型 Micro-L
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郭浩中：新型 Micro-L
《新型 Micro-LED 在顯示與通信領(lǐng)域的應(yīng)用》郭浩中教授臺灣交通大學(xué)
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limit2022-01-11 10:00
徐科：氮化鎵單晶材料
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徐科：氮化鎵單晶材料
《氮化鎵單晶材料的 HVPE 法與液相法生長研究》徐科研究員中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所
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limit2022-01-11 09:59
張榮：基于寬禁帶半導(dǎo)
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張榮：基于寬禁帶半導(dǎo)
基于寬禁帶半導(dǎo)體量子結(jié)構(gòu)的物理效應(yīng)與器件應(yīng)用張榮教授廈門大學(xué)
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limit2022-01-10 13:09
林科闖：大功率 GaN
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林科闖：大功率 GaN
大功率 GaN 藍綠激光器芯片設(shè)計、生長和制作林科闖總經(jīng)理三安光電股份有限公司
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limit2022-01-10 13:09
郝躍：寬禁帶與超寬
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郝躍：寬禁帶與超寬
寬禁帶與超寬禁帶半導(dǎo)體電子器件若干新進展郝躍院士西安電子科技大學(xué)
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limit2022-01-10 13:08
Long Yan: Optimizati
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Long Yan: Optimizati
Optimization of AlGaN based UVC LED Structure at Prismo HiT3 Author: Long Yan, Jason Hu, Shangfeng Liu, Xinqiang Wang, Vincent Wang, Shiping Guo Institute: Advanced Micro-fabrication Equipment Inc. (China), Peking University
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limit2022-01-10 12:56
青年論壇圓桌對話
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青年論壇圓桌對話
青年論壇圓桌討論主持人：徐科特邀嘉賓：于坤山、林瑞梅、陸海、陳凱軒Topic 1：十四五規(guī)劃下，新型半導(dǎo)體材料的機遇與挑戰(zhàn)是什么：Topic 2：寬禁帶半導(dǎo)體前沿技術(shù)如何高效地產(chǎn)學(xué)融合？Topic 3：怎樣看待變革性技術(shù)中寬禁帶半導(dǎo)體的使命？
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limit2022-01-10 12:55
蔣科：寬禁帶氮化物半
1200
蔣科：寬禁帶氮化物半
《寬禁帶氮化物半導(dǎo)體紫外探測器研究》作者：蔣科，孫曉娟，郭龍，張山麗，陳雨軒，黎大兵單位：中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機械與物理研究所
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limit2022-01-10 11:08
黃火林：GaN基增強型H
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黃火林：GaN基增強型H
《GaN基增強型HEMT器件關(guān)鍵技術(shù)》作者：黃火林單位：大連理工大學(xué)光電工程與儀器科學(xué)學(xué)院
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limit2022-01-10 11:07
俞冬雷：高效P型摻雜
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俞冬雷：高效P型摻雜
《高效P型摻雜鎂源特性及外延中應(yīng)用優(yōu)劣分析》作者：俞冬雷, 徐昕，王偉，李強強，王宏波，鄭銳單位：安徽亞格盛電子新材料有限公司
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limit2022-01-10 10:57
梅洋：GaN基VCSEL技術(shù)
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梅洋：GaN基VCSEL技術(shù)
《GaN基VCSEL技術(shù)進展》作者：梅洋，許榮彬，應(yīng)磊瑩，龍浩，鄭志威，張保平單位：廈門大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院
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limit2022-01-10 10:40
孫瑞澤：全氮化鎵集成
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孫瑞澤：全氮化鎵集成
《全氮化鎵集成器件與電路的發(fā)展與挑戰(zhàn)》作者：孫瑞澤，劉超，陳萬軍，張波單位：電子科技大學(xué)電子薄膜與集成器件國家重點實驗室，電子科技大學(xué)四川省功率半導(dǎo)體技術(shù)工程研究中心
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limit2022-01-10 10:39
吳挺竹：利用ALD技術(shù)
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吳挺竹：利用ALD技術(shù)
《利用ALD技術(shù)改善mini-LED的光電與通信性能》作者：盧霆威，賴壽強，潘建華，陳金蘭，黃岳，葉方順，郭浩中，陳忠，吳挺竹單位：廈門大學(xué)電子科學(xué)系，臺灣陽明交通大學(xué)光電工程學(xué)系
8000
limit2022-01-10 10:28

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