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張皇澍:A quantitative analysis of stress-dislocation evolution and application in GaN-on-Si
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WBSC 2021
2025-01-10 11:58
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A quantitative analysis of stress-dislocation evolution and application in GaN-on-Si作者:李孟達,張皇澍,楊志堅,吳潔君,于彤軍單位:北京大學物理學院寬禁帶半導體研究中心
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