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氮矽科技推出TOLL封裝的增強(qiáng)型硅基氮化鎵（GaN）晶體管

評(píng)論 ? 2025-06-24 14:48

北京大學(xué)團(tuán)隊(duì)成功研制無閾值電壓負(fù)漂650V/10A增強(qiáng)型GaN器件

評(píng)論 ? 2025-05-22 18:32

杭州鎵仁半導(dǎo)體氧化鎵襯底技術(shù)突破，助力客戶實(shí)現(xiàn)2400V增強(qiáng)型晶體管

評(píng)論 ? 2024-12-30 07:45

成都氮矽科技申請(qǐng) N 面增強(qiáng)型 GaN 雙向功率器件專利，提高器件的抗輻照能力

評(píng)論 ? 2024-12-19 15:43

無錫博通申請(qǐng)半橋GaN增強(qiáng)型開關(guān)器件及其制備方法專利，保證器件的高速開關(guān)

評(píng)論 ? 2024-10-29 17:53

我國攻克1200V以上增強(qiáng)型氮化鎵電力電子芯片量產(chǎn)技術(shù)

評(píng)論 ? 2024-07-19 10:57

西安電子科技大學(xué)攻克 1200V 以上增強(qiáng)型氮化鎵電力電子芯片量產(chǎn)技術(shù)

評(píng)論 ? 2024-07-11 17:31

科技成果推介｜增強(qiáng)型GaN電力電子器件

評(píng)論 ? 2024-06-12 16:05

CSPSD 2024成都前瞻|氮矽科技劉勇：PGaN增強(qiáng)型GaN功率器件設(shè)計(jì)與仿真技術(shù)

評(píng)論 ? 2024-04-19 15:02

成果推薦| 基于凹槽二次外延技術(shù)的p-GaN柵極增強(qiáng)型電力電子器件

評(píng)論 ? 2024-03-13 20:11

IFWS 2023│氮矽科技朱仁強(qiáng)：增強(qiáng)型功率氮化鎵器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)進(jìn)展

評(píng)論 ? 2023-12-08 15:49

西安交通大學(xué)王瑋：低功函數(shù)柵極增強(qiáng)型氫終端單晶金剛石場(chǎng)效應(yīng)晶體管研究

評(píng)論 ? 2023-08-01 14:44

CASICON西安站前瞻|西安交通大學(xué)王瑋：低功函數(shù)柵極增強(qiáng)型氫終端單晶金剛石場(chǎng)效應(yīng)晶體管研究

評(píng)論 ? 2023-07-13 16:02

新微半導(dǎo)體40V增強(qiáng)型氮化鎵功率器件工藝平臺(tái)成功量產(chǎn)

評(píng)論 ? 2023-05-19 17:38

技術(shù)分享：基于氮化鎵單晶襯底的增強(qiáng)型氮化鎵HEMTs

評(píng)論 ? 2022-09-15 17:03

西電張進(jìn)成教授團(tuán)隊(duì)最新成果：基于p-SnO帽層?xùn)诺母唛撝?span id="5rfrf777" class="highlight">增強(qiáng)型AlGaN/GaN HEMTs

評(píng)論 ? 2021-12-22 16:28

【CASICON 2021】南京大學(xué)徐尉宗：面向高可靠性、高能效應(yīng)用的GaN HEMT增強(qiáng)型器件技術(shù)

評(píng)論 ? 2021-09-18 14:00

CASICON 2021前瞻：面向高可靠性、高能效應(yīng)用的GaN HEMT增強(qiáng)型器件技術(shù)

評(píng)論 ? 2021-09-10 10:21

中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所周宇：硅基GaN增強(qiáng)型HEMT電力電子器件

評(píng)論 ? 2020-12-16 18:13

增強(qiáng)型