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龍騰股份取得 SGT-MOSFET 半導(dǎo)體器件制備方法相關(guān)專利,避免出現(xiàn)第一氧化層過薄

日期:2024-09-19 閱讀:251
核心提示:天眼查知識(shí)產(chǎn)權(quán)信息顯示,旭矽半導(dǎo)體(上海)有限公司、龍騰半導(dǎo)體股份有限公司取得一項(xiàng)名為SGT-MOSFET 半導(dǎo)體器件的制備方法,

天眼查知識(shí)產(chǎn)權(quán)信息顯示,旭矽半導(dǎo)體(上海)有限公司、龍騰半導(dǎo)體股份有限公司取得一項(xiàng)名為“SGT-MOSFET 半導(dǎo)體器件的制備方法“,授權(quán)公告號(hào) CN114520146B,申請(qǐng)日期為 2020 年 11 月。

專利摘要顯示,本發(fā)明提供一種 SGTMOSFET 半導(dǎo)體器件的制備方法,在第二溝槽區(qū)的側(cè)壁和底部形成多晶硅層,所述多晶硅層包括位于所述第二溝槽區(qū)側(cè)壁的第一介質(zhì)層表面的側(cè)壁多晶硅層,以及位于所述第一氧化層表面的底面多晶硅層,所述底面多晶硅層的厚度厚于所述側(cè)壁多晶硅層的厚度;氧化所述側(cè)壁多晶硅層和所述底面多晶硅層,直至所述側(cè)壁多晶硅層全部氧化成初始第二氧化層,所述底面多晶硅層部分氧化成所述初始第二氧化層;去除所述初始第二氧化層以及位于所述第二溝槽區(qū)的側(cè)壁的第一介質(zhì)層,直至暴露出所述第一氧化層上的剩余的底面多晶硅層;氧化所述剩余的底面多晶硅層,在所述第一氧化層上形成第二氧化層,從而避免出現(xiàn)第一氧化層過薄。

 

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