據(jù)悉，半導(dǎo)體設(shè)備巨頭ASML正在著手研發(fā)價值4億美元（約合人民幣26.75億元）的新旗艦光刻機，有望2023年上半年完成原型機，最早2025年投入使用，2026年到2030年主力出貨。

 

消息顯示，新一代High-NA EUV光刻機機型約雙層巴士大小，重量超過200噸。該設(shè)備精密度更高、所使用的零部件更多，可用于生產(chǎn)下一代芯片，芯片終端領(lǐng)域可覆蓋手機、筆電、汽車、AI等。

 

業(yè)界猜測，這款新機應(yīng)該指的就是High-NA EXE:5200（0.55NA），在今年1月中旬，Intel宣布第一個下單訂購了ASML TWINSCAN EXE:5200光刻機，結(jié)合今年ASML Q1季度財報，EXE:52000已經(jīng)訂出去不止一臺。

 

據(jù)了解，ASML下一代EUV 0.55NA平臺有望使芯片尺寸減小1.7倍，進一步提高分辨率，并將微芯片密度提高近3倍。

 

另據(jù)消息顯示，0.55NA光刻機比現(xiàn)售的0.33NA EUV光刻機大出30%，售價約是0.33NA EUV的2倍。目前，為克服技術(shù)挑戰(zhàn)，ASML正與全球最大的微電子研發(fā)機構(gòu)IMEC共同建立測試實驗室。

 

目前，英特爾、三星、臺積電等代工廠正大幅擴產(chǎn)，其中臺積電、三星兩家在先進工藝制程較量不斷升級，據(jù)悉，今年他們先后宣布了將在今年量產(chǎn)3nm，業(yè)界推測他們所使用的設(shè)備應(yīng)該就是ASML最新一代的0.33NA EUV。光刻機設(shè)備與芯片制程工藝相匹配，目前EUV光刻機暫時能滿足量產(chǎn)3nm的需要，但是3nm以下工藝卻難以勝任。這也是ASML加速研發(fā)新的光刻機的原因之一。

 

據(jù)近期外媒消息，臺積電等公司計劃在2023年開始生產(chǎn)2nm代。如果消息屬實，ASML高端光刻機將更加火熱。