01西交利物浦大學和英國利物浦大學簡介

西交利物浦大學的博士可于每年三月、六月、九月、十二月辦理入學； 錄取后，學生將注冊為英國利物浦大學的海外博士生，博士畢業后將獲得英國利物浦大學（英國羅素大學集團成員，2014上海交大世界大學學術排名101-150）頒發的博士文憑。

02課題項目

氮化鎵（GaN）基半導體材料具有高擊穿場強、高電子飽和漂移速度、穩定的化學特性和強抗輻照能力等諸多優勢， GaN基高電子遷移率晶體管（HEMT）在高頻、高效、高功率密度的電力電子變換領域（如數據中心、新能源汽車、分布式支電、各類消費電子等）具有十分廣闊的應用前景和市場機遇。本項目面對GaN HEMT可靠性瓶頸，開發滿足工業級標準的高性能功率器件。

在蘇州經濟產業規劃中，寬禁帶化合物半導體氮化鎵產業鏈是重點發展的產業之一。西交利物浦大學位于蘇州工業園區獨墅湖畔，國際化氣氛濃厚。本課題組擁有近千平潔凈間及功率器件制備所需全套工藝設備；與國內國際學術機構保持著密切的合作和交流。

03導師介紹

劉雯博士，西交利物浦大學智能工程學院電子與電氣工程系高級副教授，西交利物浦大學先進半導體研究中心執行主任，博士生導師，英國高等教育協會會士，國際電氣電子工程協會（IEEE）電路與系統、電子器件學會蘇州分會負責人，國家第三代半導體產業技術創新戰略聯盟(CASA)青年創新促進委員會副主任委員，西浦智能工程學院-紅與藍微電子氮化鎵功率器件聯合研究中心主任。長期從事寬禁帶半導體氮化鎵電力電子器件及其單片功率集成芯片技術研究。迄今發表IEEE EDL、TED、TPE等SCI收錄論文50余篇，EI收錄會議論文60余篇，在功率半導體領域國際頂級會議ISPSD發表通訊作者論文5篇。擔任IEEE國際集成電路設計與工藝會議出版負責人（2023）和會務負責人（2021），第五屆全國寬禁帶半導體學術會議組織委員會委員（2023，2025），功率半導體器件與集成電路研討會程序委員會委員（2024，2025）。已培養畢業博士生9名，碩士生20余名，申請國家發明專利20余件，授權13件，編制行業標準4項。主持十余項各級研發項目，包括國家科技重大專項、國家重點研發計劃、國家自然科學基金面上項目、橫向課題等，2018年以來作為項目負責人已獲經費千萬元。

04研究方向：（本招聘持續進行，歡迎隨時申請）

1)高性能氮化鎵功率器件

2)器件可靠性測試及壽命預測

05博士待遇及其他

西浦博士生將獲得英國利物浦大學的博士學位（與英國本土利物浦大學學位完全相同）； 博士項目年限為4年；博士獎學金包括：學費9萬/年 (4年) + 助教補助 + 額外16,500元會議出差補助；提供利物浦大學交換學習機會，時間根據項目具體需要。

06招生要求：

1）已獲（或在博士入學前獲得）本科及以上學位，成績優異

2）專業背景為微電子、物理學、電氣工程、材料相關專業碩士或本科學歷

3）扎實的研究基礎，團隊協作精神和英文寫作能力

4）具備流利的英語交流能力和熟練的讀寫能力（雅思6.5分，單科不低于6.0），兩年內畢業于英語為第一語言國家的同學可豁免語言成績

聯系方式：請將CV、成績單及發表論文發送至wen.liu@xjtlu.edu.cn

關于研究內容及導師詳情請點擊：

https://scholar.xjtlu.edu.cn/en/persons/WenLiu