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年底通線!株洲中車8英寸SiC產線披露最新進展

日期:2025-05-26 閱讀:453
核心提示:株洲中車董事長、執行董事李東林向投資者表示,株洲三期于2024年11月份啟動建設,2025年5月,主體廠房封頂,預計2025年下半年啟動設備搬入,2025年底有望實現產線拉通,該項目為8英寸SiC晶圓。

 5月21日,科創板細分行業集體業績說明會之先進軌道交通行業專場于上證路演中心召開。會上株洲中車時代電氣股份有限公司就重點項目進展、新的經營計劃等內容和投資者展開交流。

株洲中車董事長、執行董事李東林向投資者表示,株洲三期于2024年11月份啟動建設,2025年5月,主體廠房封頂,預計2025年下半年啟動設備搬入,2025年底有望實現產線拉通,該項目為8英寸SiC晶圓。

據介紹,株洲中車擁有一條6英寸SiC芯片產線,當前已具備年產2.5萬片6英寸SiC芯片產能。

當前株洲中車SiC第三代精細平面柵產品已定型,技術水平行業主流;第四代溝槽柵設計定型,達行業先進水平,并且對第五代SiC技術完成布局。

目前SiC重點產品包括3300V高壓平面柵SiC MOSFET、1200V精細平面柵SiC MOSFET,1200V SBD等,1200V溝槽柵 SiC MOSFET性能指標基本對標國際龍頭企業。2022年底,新能源車用全SiCC-Car平臺孵化的全新一代產品C-Power 220s正式發布,目前正在整車廠送樣驗證階段。

李東林還介紹道,公司SiC MOSFET覆蓋650V-6500V電壓等級,適合高頻/大功率密度系統要求,可廣泛應用于新能源汽車、UPS、風力發電、光伏逆變器、鐵路運輸、工業、智能電網等領域。公司SiC產品(SBD)在光伏領域批量供貨,SiC TO器件在充電樁、OBC、電源檢測等領域批量供貨。2025年公司SiC MOSFET產品有望突破新能源車主驅批量出貨。

來源:證券時報網

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