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瀚天天成申請(qǐng)降低碳化硅外延薄膜表面 Bump 缺陷專利,可提高碳化硅外延片質(zhì)量

日期:2025-04-11 閱讀:224
核心提示:國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示,瀚天天成電子科技(廈門)股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為一種降低碳化硅外延薄膜表面 Bump 缺陷的方法的專利

 國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示,瀚天天成電子科技(廈門)股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種降低碳化硅外延薄膜表面 Bump 缺陷的方法”的專利,公開號(hào) CN 119786337 A,申請(qǐng)日期為 2024 年 12 月。

專利摘要顯示,本發(fā)明涉及一種降低碳化硅外延薄膜表面 Bump 缺陷的方法,包括以下步驟:第一步:進(jìn)行緩沖層及外延層的生長(zhǎng);第二步:所述反應(yīng)腔中壓力保持不變,將氫氣流量驟變至 10~50slm,同時(shí)通入 50~100slm 的氬氣進(jìn)行第一階段降溫;第三步:待所述反應(yīng)腔中溫度降至 1000~1200℃時(shí),進(jìn)行第二階段降溫;第四步:瞬間將氫氣流量降至 0slm,氬氣流量降至 10~30slm,同時(shí)恢復(fù)所述反應(yīng)腔的內(nèi)壓;第五步:在氬氣氛圍下進(jìn)行吹掃,吹掃完成后關(guān)閉氬氣,靜置后取出外延片。通過該方法可以將碳化硅外延薄膜表面的 Bump 缺陷密度降低至 0.03cm?2 及以下,從而提高碳化硅外延片的質(zhì)量,提高半導(dǎo)體器件的性能。

天眼查資料顯示,瀚天天成電子科技(廈門)股份有限公司,成立于2011年,位于廈門市,是一家以從事計(jì)算機(jī)、通信和其他電子設(shè)備制造業(yè)為主的企業(yè)。企業(yè)注冊(cè)資本40409.276萬人民幣,實(shí)繳資本38819.2129萬人民幣。通過天眼查大數(shù)據(jù)分析,瀚天天成電子科技(廈門)股份有限公司共對(duì)外投資了1家企業(yè),參與招投標(biāo)項(xiàng)目50次,財(cái)產(chǎn)線索方面有商標(biāo)信息20條,專利信息67條,此外企業(yè)還擁有行政許可69個(gè)。

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