天眼查顯示，泰科天潤半導體科技（北京）有限公司“一種高可靠平面柵碳化硅VDMOS及其制備方法”專利公布，申請公布日為2025年2月14日，申請公布號為CN119421473A。
本發明提供了一種高可靠平面柵碳化硅VDMOS及其制備方法，在碳化硅襯底的下側面淀積金屬，形成漏極金屬層；在碳化硅襯底上側面外延生長，形成漂移層；形成阻擋層，刻蝕，離子注入，形成均流層、體區、P型阱區及N型源區；重新形成阻擋層，刻蝕，淀積，形成絕緣介質層；重新形成阻擋層，刻蝕，淀積，形成柵介質層；重新形成阻擋層，刻蝕，淀積金屬，形成柵極金屬層和源極金屬層，去除阻擋層，完成制備，可以有效提高器件的柵極可靠性和體二極管續流損耗和反向恢復速度。
