國家知識產權局信息顯示，廈門市三安集成電路有限公司取得一項名為“氮化鎵半導體器件”的專利，授權公告號 CN 222515484 U，申請日期為2023年12月。

專利摘要顯示，本申請公開氮化鎵半導體器件，包括半導體疊層、柵極電極、源極電極接觸、漏極電極接觸，以及介質層和鈍化層。其中，柵極電極、源極電極和漏極電極設置在半導體疊層上；介質層填充設置于半導體疊層上、且分別與柵極電極、源極電極接觸和漏極電極接觸抵接，介質層遠離半導體疊層的一側低于源極電極和/或漏極電極遠離半導體疊層的一側；鈍化層包括沿半導體疊層到介質層的方向依次層疊設置的第一鈍化層和第二鈍化層，第一鈍化層填充設置在介質層、源極電極接觸和/或漏極電極接觸所形成的容置槽內，第二鈍化層覆蓋設置在第一鈍化層、源極電極接觸和漏極電極接觸上遠離半導體疊層一側。上述氮化鎵半導體器件，防水汽侵蝕能力、可靠性和使用壽命較高。

天眼查資料顯示，廈門市三安集成電路有限公司，成立于2014年，位于廈門市，是一家以從事軟件和信息技術服務業為主的企業。企業注冊資本150000萬人民幣，實繳資本150000萬人民幣。通過天眼查大數據分析，廈門市三安集成電路有限公司共對外投資了3家企業，參與招投標項目83次，專利信息328條，此外企業還擁有行政許可105個。