國家知識產(chǎn)權局信息顯示，英飛凌科技股份有限公司申請一項名為“功率半導體模塊裝置及其制作方法”的專利，公開號CN 119495574 A，申請日期為2024年8月。

專利摘要顯示，本申請?zhí)峁┝艘环N方法，包括：在殼體中填充具有第一密度的第一材料，從而形成液體或凝膠狀的第一預層，其中殼體包括側壁，并且其上布置有至少一個半導體主體的襯底布置在殼體中或形成殼體的接地表面，并且其中，第一預層部分填充殼體并完全覆蓋襯底和其上布置的至少一個半導體主體；在殼體中填充不同于第一材料且具有第二密度的第二材料，其中第一密度高于第二密度，從而形成液體或凝膠狀的第二預層，其中第一預層由于其較高的密度而形成在第二預層和襯底之間；以及執(zhí)行固化步驟，從而同時固化第一材料和第二材料并形成固體的第一層和固體的第二層，其中第二層永久地粘附到第一層。