傳統功率模塊采用引線鍵合和回流焊接工藝實現芯片互連，但該互連方法將帶來較大寄生參數與結殼熱阻，限制了功率模塊的功率密度及服役溫度，并產生引線斷裂和焊料分層等疲勞失效問題。囿于傳統封裝材料與結構，功率芯片性能難以得到充分發揮，新型互連技術成為解決當前問題的關鍵。 

2025年2月26-28日，”2025功率半導體制造及供應鏈高峰論壇”將在重慶山城國際會議中心舉辦。本次論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）與三安光電股份有限公司共同主辦，極智半導體產業網（m.ynpmqx.com）、第三代半導體產業、重慶三安半導體有限責任公司、北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦，重慶郵電大學、重慶大學、湖南三安半導體有限責任公司等單位協辦。    

中南大學教授汪煉成受邀將出席論壇，并帶來《功率半導體模塊關鍵互連集成研究》的主題報告，報告將介紹課題組在功率模塊互連工藝和技術方面研究進展，包括納米銀燒結機理與致密化工藝研究，BGA-雙面散熱模塊互連，凸臺式襯板互連，銅夾互連等，實現倒裝焊接BGA+納米銀燒結雙面功率模塊，倒裝Spacer 雙面功率模塊，凸臺式DBC功率模塊封裝。

 嘉賓簡介

汪煉成

中南大學教授，博士生導師

汪煉成，中南大學教授，博士生導師，長期從事長期從事微/光電子三維集成器件和工藝研究，針對新型顯示、可見光通信、新能源汽車和集成電路等行業需求，解決了非相干發光調控、氮極性面蝕刻、歐姆接觸、高功率密度互連等科學和技術難題，實現具有極低正向工作電壓垂直結構GaN基LED器件，低電流密度高傳輸速率白光LED，首次提出并實現諧振腔Micro-LED、圓偏振和指向發光Micro-LED，首次制備成功基于AlN微納結構的紫外超透鏡，實現倒裝焊接BGA雙面散熱及凸臺DBC SiC功率器件；攻克金屬銦基熱界面材料集成技術，帶領完成超大尺寸（＞100mmx100mm）MCM chiplet FCBGA封裝，相關成果在多家企業實現轉化或應用。主持國家自然科學基金、湖南省重點研發計劃等項目20余項，授權專利50余項，在Appl Phys Lett.，IEEE Transactions on Electron Devices等權威SCI 期刊發表論文150余篇，工作10余次被專業媒體如Compound Semiconductor、Semiconductor Today 報道。 

“先進半導體產業大會（CASICON）”

“先進半導體產業大會（CASICON）”是由極智半導體產業網主辦，每年在全國巡回舉辦的行業綜合活動。CASICON 系列活動以助力第三代半導體產業為己任，聚焦先進半導體產業發展熱點，聚合產業相關各方訴求，持續輸出高質量的活動內容。自活動啟動以來，足跡已走過南京、長沙、西安、深圳、成都、濟南、上海等城市，圍繞產業鏈不同環節熱點，通過“主題會議+推薦展示”的形式，搭建了良好的交流平臺，促進了參與各方交流合作，捕捉合作新機遇，發揮了重要的橋梁與聚合價值。

目前論壇組織正有序進行中，論壇誠邀全產業鏈相關專家學者、企業、從業人士蒞臨現場交流研討、參觀&合作。日程安排及專家、報告人詳見下圖!