天眼查顯示，上海芯導電子科技股份有限公司“一種靜電防護結構及制備方法、半導體器件及制備方法”專利公布，申請公布日為2024年10月11日，申請公布號為CN118763074A。

本發明的技術方案提供了一種靜電防護結構及制備方法、半導體器件及制備方法，通過在所述第一區域內設置依次排布的所述第一P型摻雜區和所述第一N型摻雜區，以構成二極管；通過在所述第二區域內設置依次排布的所述第二P型摻雜區、所述第四N型摻雜區、所述第二N型摻雜區、所述第五N型摻雜區和所述第三P型摻雜區，以構成SCR器件；通過在所述第三區域內設置依次排布的所述第三N型摻雜區和所述第四P型摻雜區，以構成二極管。基于上述技術手段，使靜電防護結構集成了二極管和SCR結構，從而降低靜電防護結構在大電流下的鉗位電壓。同時，因為集成的二極管和SCR結構形成對稱結構，所以可以忽視所述第一電極和所述第二電極的正反接。