碳化硅單晶半導體材料具有寬禁帶、高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率等優異物理特性，廣泛應用于電動汽車、智能電網、光伏儲能、軌道交通等領域，是支撐未來數字化、低碳產業的核心基礎材料。尤其在10kV 以上的高壓大功率領域，P型碳化硅材料，具有更好的應用前景。 

技術引領 助力低碳智能電網 

近日，天岳先進向客戶成功交付高質量低阻P型碳化硅襯底，標志著向以智能電網為代表的更高電壓領域邁進了一步。高質量低阻P型碳化硅襯底將極大加速高性能SiC-IGBT的發展進程，實現高端特高壓功率器件國產化。 

針對高壓大功率電力電子器件用P型碳化硅單晶襯底存在的成本高、電阻率高、缺陷控制難度大等技術難題，天岳先進深化布局前瞻性技術，在備受關注的液相法領域，繼2023年公布了全球首個8英寸碳化硅晶體后再次取得了重大突破，于2024年推出了采用液相法制備的4度偏角P型碳化硅襯底。 

液相法具有生長高品質晶體的優勢，在長晶原理上決定了可以生長超高品質的碳化硅晶體。天岳先進布局液相法多年，目前在該領域獲得了低貫穿位錯和零層錯的碳化硅晶體。通過液相法制備的P型4度偏角碳化硅襯底，電阻率小于200mΩ·cm，面內電阻率分布均勻，結晶性良好。 

天岳先進n型產品市占率全球第二，高純半絕緣型碳化硅襯底產品連續五年全球市占率排名第三。2023年，公司與英飛凌、博世等下游功率器件、汽車電子領域知名企業簽署了長期合作協議。導電型n型碳化硅襯底產品在大功率功率器件上優勢明顯，在電動汽車領域具有卓越優勢。天岳先進的車規級產品獲得了國際客戶的認可，實現了6英寸和8英寸碳化硅導電型襯底產品批量銷售。高純半絕緣碳化硅襯底產品，為高頻高輸出的射頻器件提供材料品質基礎，適用于5G基站射頻器件，衛星通信等應用。

天岳先進秉承智能制造理念，用科技實力踐行社會責任，依托技術、產能、服務、理念方面的領先優勢，持續加大研發投入實現技術提升，致力于持續為客戶提供優質襯底材料，滿足芯片最高安全需求，用產業經驗保證碳化硅功率半導體行業向新高度發展，為綠色低碳高質量發展貢獻天岳力量。

（來源：天岳先進）