國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及制備方法”的專利，公開號(hào)CN 118829192 A，申請(qǐng)日期為2023年4月。

專利摘要顯示，本公開實(shí)施例涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及制備方法，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：基底，基底內(nèi)具有沿第一方向延伸的位線；半導(dǎo)體柱，半導(dǎo)體柱位于基底內(nèi)，半導(dǎo)體柱與位線電連接；半導(dǎo)體柱包括溝道區(qū)以及位于溝道區(qū)兩側(cè)的兩個(gè)摻雜區(qū)，兩個(gè)摻雜區(qū)的其中一摻雜區(qū)與位線電連接；溝道區(qū)在兩個(gè)摻雜區(qū)的每一摻雜區(qū)的正投影均位于每一摻雜區(qū)內(nèi)字線字線沿第二方向延伸，字線位于基底內(nèi)，字線環(huán)繞溝道區(qū)；存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)，存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)位于基底上，存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)與兩個(gè)摻雜區(qū)的另一摻雜區(qū)電連接；其中，第一方向與第二方向相交。公開的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)至制備方法至少可以提高集成電路的存儲(chǔ)密度。