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富加鎵業(yè)年產(chǎn)10000片6英寸氧化鎵單晶及外延片生長線開工

日期:2024-09-14 閱讀:595
核心提示:杭州富加鎵業(yè)科技有限公司6英寸氧化鎵單晶及外延片生長線在杭州富陽開工建設(shè)。

 近日,杭州富加鎵業(yè)科技有限公司6英寸氧化鎵單晶及外延片生長線在杭州富陽開工建設(shè)。這是國內(nèi)首條6英寸氧化鎵單晶及外延片生長線,與國際同時起步的6英寸單晶生長技術(shù)及更加適合量產(chǎn)的外延技術(shù)將“換道超車”,助力新型超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵產(chǎn)業(yè)鏈高質(zhì)量快速發(fā)展。

氧化鎵單晶可以通過熔體法生長,從而在制備成本、單晶質(zhì)量、缺陷或尺寸等方面相對于第三代半導(dǎo)體碳化硅、氮化鎵材料及超寬禁帶半導(dǎo)體氮化鋁、金剛石材料有明顯優(yōu)勢,從而成為大國競爭的關(guān)鍵材料。另外,氧化鎵材料的熱處理溫度及硬度均與單晶硅較為接近,從單晶硅器件線轉(zhuǎn)為氧化鎵器件線僅僅需要更換5%設(shè)備,相比而言,碳化硅材料硬度較大,且熱處理溫度較高,從單晶硅器件線轉(zhuǎn)為碳化硅器件線,需要更換25%設(shè)備。

考慮到現(xiàn)存單晶硅的器件線以6英寸及8英寸為主,氧化鎵單晶材料及外延片需要跨過6英寸門檻后才能進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化快車道。現(xiàn)階段,公司已經(jīng)實現(xiàn)了6英寸導(dǎo)電型及絕緣型氧化鎵單晶襯底的制備,單晶外延技術(shù)也取得重要進(jìn)展,已達(dá)到6英寸硅基器件線產(chǎn)業(yè)化門檻。

據(jù)了解,目前國際上僅僅有日本NCT(Novel Crystal Technology, Inc)有6英寸氧化鎵量產(chǎn)計劃。杭州富加鎵業(yè)是國內(nèi)目前唯一一家同時具備6英寸單晶生長及外延的公司,開工建設(shè)的6英寸氧化鎵單晶及外延片生長線也是國內(nèi)第一條6英寸氧化鎵單晶及外延片生長線,該生產(chǎn)線高度集成單晶生長、襯底加工、外延及檢測,整條產(chǎn)線涉及關(guān)鍵設(shè)備包括“一鍵長晶”單晶生長設(shè)備、多線切割設(shè)備、高精度研磨拋光設(shè)備、倒角設(shè)備、激光加工設(shè)備、全自動化晶片清洗設(shè)備、高通量外延設(shè)備、表面缺陷檢測儀、電學(xué)性能測試儀等重要設(shè)備。面向未來,6英寸的氧化鎵單晶及外延片將為下游器件廠商提供穩(wěn)定可控的高質(zhì)量氧化鎵材料。

杭州富加鎵業(yè)科技有限公司成立于2019年12月31日,是杭州光學(xué)精密機(jī)械研究所注冊成立的第一家“硬科技〞企業(yè),公司以“讓世界用上好材料”為愿景,開展寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵材料的產(chǎn)業(yè)化工作,主要從事氧化鎵單晶材料生長、氧化鎵襯底及外延片研發(fā)、生產(chǎn)和銷售工作,產(chǎn)品主要應(yīng)用于功率器件、微波射頻及光電探測等領(lǐng)域。(來源:富加鎵業(yè))

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