天眼查知識產權信息顯示，上海芯導電子科技股份有限公司申請一項名為“一種 T 型溝槽柵碳化硅 MOSFET 器件結構及其制備方法“，公開號 CN202410535561.5 ，申請日期為 2024 年 4 月。

專利摘要顯示，一種 T 型溝槽柵碳化硅 MOSFET 器件結構，該器件結構的第一溝槽和第二溝槽構成了 T 型溝槽，溝槽底部長度減少，對應減少了柵極承壓范圍，提高了柵極可靠性，位于第一溝槽底部的阱區內的第一摻雜區替代了電流拓展層，改善整體 P 型和 N 型注入濃度和能量的調控范圍，位于所述第二溝槽底部的漂移區內的第二摻雜區相當于屏蔽層，該屏蔽層的寬度較小，在器件關閉狀態下，該第二摻雜區可以和襯底進行耗盡，減小了溝槽柵底部耐壓，平衡了電場分布，減少了導通電阻。