天眼查知識(shí)產(chǎn)權(quán)信息顯示，河北博威集成電路有限公司取得一項(xiàng)名為“集成 SBD 的碳化硅 MOSFET 器件及其制備方法“，授權(quán)公告號(hào) CN118136672B，申請(qǐng)日期為 2024 年 4 月。

專利摘要顯示，本申請(qǐng)適用于半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種集成 SBD 的碳化硅 MOSFET 器件及其制備方法，該器件包括：自下而上依次堆疊的漏極金屬、N+襯底和 N漂移層和源極金屬；N漂移層的上表面有至少一個(gè)凹槽，在凹槽的兩側(cè)形成兩個(gè)凸臺(tái)；凹槽的下方有 P 阱，P 阱內(nèi)設(shè)有 N+源區(qū)和 P+源區(qū)；凹槽的底部有歐姆接觸金屬和柵極；在遠(yuǎn)離柵極一側(cè)的凹槽的側(cè)壁上和凸臺(tái)的上表面有第二肖特基接觸金屬，凸臺(tái)、歐姆接觸金屬和第二肖特基接觸金屬形成雙凸臺(tái) SBD。本申請(qǐng)能夠在減小 SiC MOSFET 器件續(xù)流損耗、開(kāi)關(guān)損耗、避免雙極退化的同時(shí)，增大 SBD 的正向?qū)娏?，減小反向漏電，極大提升單片集成 SBD 的 SiC MOSFET 器件的性能。