8月13日，據東莞發布官微消息，廣東天域半導體總部和生產制造中心項目即將試產。

資料顯示，該項目總投資80億，位于松山湖生態園，總占地面積約114.65畝、建筑面積約24萬平方米，建設內容包括廠房、研發樓、宿舍以及配套設施等，建成后用于生產6英寸/8英寸碳化硅（SiC）外延晶片，產能達150萬片/年。項目建設周期為2023年至2026年，未來預計年產值約100億元。 

作為一家SiC外延晶片市場營銷、研發和制造廠商，天域半導體是國內最早實現6英寸SiC外延晶片量產，20kV級以上的厚外延生長，緩變結、陡變結等n/p型界面控制技術，多層連續外延生長技術的企業。2023年2月，天域半導體完成約12億人民幣B輪融資，投資方包括海富產業基金、粵科鑫泰股權投資基金、南昌工業控股、嘉元科技、招商資本、乾創投資等，本輪融資資金將繼續用于增加SiC外延產線的擴產以及持續加大SiC大尺寸外延生長研發投入。

目前，天域半導體正在積極布局8英寸SiC外延片產線建設，有望成為國內較早實現8英寸量產的企業之一。

（來源：集邦化合物半導體）