據天眼查顯示，粵芯半導體技術股份有限公司近日取得一項名為“一種半導體器件中的互連金屬的沉積方法”的專利，授權公告號為CN117127154B，授權公告日為2024年8月6日，申請日為2023年10月16日。

本申請提供了一種半導體器件中的互連金屬的沉積方法，其中，該方法包括：在待沉積襯底的表面上按照第一預設沉積條件執行互連金屬的第一次沉積操作，以得到在所述待沉積襯底的表面上沉積的第一沉積層，第一預設沉積條件用于限制第一沉積層的互連金屬的晶粒尺寸；在所述第一沉積層的表面按照第二預設沉積條件執行互連金屬的第二次沉積操作，以在所述第一沉積層的表面沉積第二沉積層，第二預設沉積條件用于限制沉積過程中互連金屬的原子遷移率及沉積速率；在所述第二沉積層的表面按照第三預設沉積條件執行互連金屬的第三次沉積操作，以在所述第二沉積層的表面沉積的第三沉積層，第三預設沉積條件用于限制沉積操作形成的沉積層厚度及沉積速率。