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英諾賽科“含有硅摻雜氮化鋁層的半導體器件及其制造方法”專利獲授權

日期:2024-07-12 閱讀:258
核心提示:天眼查顯示,英諾賽科(珠海)科技有限公司近日取得一項名為含有硅摻雜氮化鋁層的半導體器件及其制造方法的專利,授權公告號為CN

 天眼查顯示,英諾賽科(珠海)科技有限公司近日取得一項名為“含有硅摻雜氮化鋁層的半導體器件及其制造方法”的專利,授權公告號為CN106449375B,授權公告日為2024年7月5日,申請日為2016年12月26日。

本發明涉及一種含有硅摻雜氮化鋁層的半導體器件及其制造方法。該半導體器件包括襯底、設在該襯底上部的籽晶層、設在該籽晶層上部的緩沖層以及設在該緩沖層上部的Ⅲ族氮化物外延層。本發明通過在氮化鋁中摻雜一定濃度的硅,在硅襯底上中生長包含硅摻雜氮化鋁層的籽晶層,硅摻雜氮化鋁與硅原子的晶格失配數比較接近,硅摻雜氮化鋁層在硅基底上更好的成長,可以有效的阻止硅由襯底擴散進入氮化鎵外延層,減少了硅與氮化鎵的反應,改善了氮化鎵或氮鎵鋁/氮化鎵薄膜的品質,提高了半導體器件的工作性能。

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