近日，中建一局建設發展公司承建的國內最大的SIC功率半導體制造基地--武漢長飛先進半導體基地項目成功完成首榀桁架吊裝，標志著項目鋼結構施工全面展開，助力武漢打造世界級化合物半導體產業高地。

項目位于湖北省武漢市，總建筑面積約25.15萬平方米，建成后預計年產6英寸碳化硅MOSFET及晶圓36萬片，功率器件模塊6100萬個，將廣泛覆蓋新能源汽車、光伏、儲能、充電樁、電力電網等領域。