4月11日，青禾晶元官方宣布，公司近日通過技術創(chuàng)新，在SiC鍵合襯底的研發(fā)上取得重要進展，在國內率先成功制備了8英寸SiC鍵合襯底。

8寸N型SiC復合襯底（source：青禾晶元）     對比6英寸SiC晶圓，8英寸SiC晶圓可用面積幾乎增加一倍，芯片產(chǎn)出可增加80-90％，SiC晶圓升級到8英寸將會給汽車和工業(yè)客戶帶來重大收益。因此，SiC晶圓走向8英寸是業(yè)界公認的發(fā)展趨勢。

SiC長晶受限于生長良率低、周期長等瓶頸導致成本無法有效降低。先進SiC鍵合襯底技術可以將高、低質量SiC襯底進行鍵合集成，有效利用低質量長晶襯底，與長晶技術一同推進SiC材料成本顯著降低，實現(xiàn)高效地將過剩的傳統(tǒng)生產(chǎn)力轉化為新質生產(chǎn)力。

青禾晶元表示，通過技術創(chuàng)新，進一步鞏固了青禾晶元在該領域的引領地位，有望加速8英寸SiC襯底量產(chǎn)進程，為產(chǎn)業(yè)界客戶提供更具競爭力的價格。

青禾晶元集團是國際上少數(shù)掌握全套先進半導體襯底鍵合集成技術的半導體公司之一，致力于將國際前沿的半導體材料融合技術產(chǎn)業(yè)化，獲得了多家知名產(chǎn)業(yè)方和社會資本的廣泛認可。